[发明专利]玻璃基板结构及封装方法在审
申请号: | 201910833743.X | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN112447533A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 黄玲玲 | 申请(专利权)人: | 北京万应科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60;H01L23/482 |
代理公司: | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人: | 刘金峰 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 板结 封装 方法 | ||
本发明公开了一种玻璃基板结构及封装方法,该封装方法包括:在玻璃基板上制作穿透玻璃基板的第一通孔;制作覆盖玻璃基板的第一外层介质层,且第一外层介质层填充第一通孔;在第一通孔对应的位置制作穿透第一外层介质层的第二通孔;制作覆盖第一外层介质层的底部、顶部和第二通孔的内层布线层;制作覆盖内层布线层的第二外层介质层;在第二通孔对应的位置去除第二外层介质层,形成盲孔;制作通过盲孔与内层布线层电连接的外层布线层;制作覆盖外层布线层的阻焊层。实施本发明,通过采用玻璃基板,并在玻璃基板上封装内层线路层和外层布线层,并在外层布线层上设置阻焊层,形成热膨胀系数小的基板,减小热应力。
技术领域
本发明涉及电子元件封装技术领域,尤其涉及一种玻璃基板结构及封装方法。
背景技术
基板材料(Substrate Material)是制造半导体元件及印制电路板的基础材料,如半导体工业用的材料硅、砷化镓、硅外延针稼拓榴石等。使用时,通常需要将基板与芯片进行封装,形成半导体元件或者印制电路板,实现各种功能,为了满足高速信号传输,现有的基板通常采用高频基板,降低损耗。然而,现有的高频基板由于热膨胀系数(Coefficientof thermal expansion,CTE)较大,用于封装时容易产生较大的热应力,无法完成倒装焊形成的封装,通常只能实现引线键合,而引线键合产生的寄生感抗较高,引线传输损耗较大,引线电阻也会产生信号衰减,从而产生阻抗损耗,并且常规的高频基板材料不透明无法引导光波在其中传播,因此内部集成光波导困难。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的高频基板热膨胀系数大,无法完成倒装焊形成的封装和集成光波导的不足,提供一种玻璃基板结构及封装方法。
本发明的技术方案提供一种玻璃基板结构的封装方法,包括:
在玻璃基板上制作穿透所述玻璃基板的第一通孔;
制作覆盖所述玻璃基板的第一外层介质层,且所述第一外层介质层填充所述第一通孔;
在所述第一通孔对应的位置制作穿透所述第一外层介质层的第二通孔;
制作覆盖所述第一外层介质层的底部、顶部和所述第二通孔的内层布线层;
制作覆盖所述内层布线层的第二外层介质层;
在所述第二通孔对应的位置去除所述第二外层介质层,形成盲孔;
制作通过所述盲孔与所述内层布线层电连接的外层布线层;
制作覆盖所述外层布线层的阻焊层。
进一步的,所述在所述第一通孔对应的位置制作穿透所述第一外层介质层的第二通孔,具体包括:
减薄所述第一外层介质层上的铜箔;
在所述第一通孔对应的位置制作穿透所述第一外层介质层的所述第二通孔。
进一步的,所述制作覆盖所述第一外层介质层的底部、顶部和所述第二通孔的内层布线层,具体包括:
去除所述第一外层介质层上的铜箔;
在所述第一外层介质层的底部、顶部和所述第二通孔内电镀金属,形成第一金属层;
在所述第一金属层上制作第一掩膜;
去除所述第一掩膜,并进行蚀刻,形成所述内层布线层。
进一步的,所述制作通过所述盲孔与所述内层布线层电连接的外层布线层,具体包括:
在所述第二外层介质层的底部、顶部和所述盲孔内电镀金属,形成第二金属层;
在所述第二金属层上制作第二掩膜;
在所述第二掩膜的间隙内制作第二电路图形;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造