[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201910835354.0 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110890292A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 森秀树;古矢正明;小林信雄 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
基板处理装置以及基板处理方法,能够高效地进行雾的回收,而且尤其是即使在使用酸性的处理液与碱性的处理液的情况下,也能够抑制排气路径与处理室内的酸与碱的雾所导致的盐的生成,从而能够在同一处理室内进行利用各种处理液的基板处理。基板处理装置(11)向基板(W)依次供给多种处理液从而对基板进行处理,其具有:处理室(13),其进行基板的处理;旋转工作台(15),其在处理室内保持基板并且被旋转驱动;处理液供给部(51、52),其保持于旋转工作台,并向旋转状态的基板供给处理液;带有能够开闭的门的多个排气路径(22a~22d),它们使处理液的雾从处理室向外部流出;门开闭切换构件(升降缸(48a~48d)、控制部(70)),其根据基板的旋转方向切换门(45a~45d)的开闭。
技术领域
本发明涉及向旋转的基板供给处理液来进行基板处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在玻璃基板或半导体晶片等基板上形成电路图案的过程中,向基板上供给显影液、蚀刻液、剥离液、清洗液等各种处理液。公开了为了对进行了这样的基板处理的各种处理液进行再利用或分别废弃而进行分离回收的自旋(spin)处理装置(专利文献1)。
专利文献1:日本特许第3948963号公报
专利文献1所记载的自旋处理装置为了使附着于基板的颗粒数为最小限度,吸引在处理室内产生的雾(mist),由此将其向处理室外排出。
但是,在自旋处理装置中,希望将处理中产生的雾高效地向处理室外排出。而且,如果在上述各种处理液中含有酸性的蚀刻液、碱性的清洗液等,则在处理室内或排气路径中通过酸与碱的反应而生成盐(salt),从而有可能导致处理室内的清洁度的恶化,或由于附着于排出管而导致排出的降低。如果在利用酸性的处理液的处理以及利用碱性的处理液的处理中分别单独设置处理装置,则能够避免盐的生成,但装置面积、经费等会增加,从而导致生产率恶化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法,能够高效地进行雾的回收,而且,尤其是即使在使用酸性的处理液与碱性的处理液的情况下,也能够抑制在排气路径或处理室内中的酸与碱的雾所导致的盐的生成,从而能够在同一处理室内中进行利用各种处理液的基板处理。
为了解决上述课题,本发明的基板处理装置向基板依次供给多种处理液而对基板进行处理,该基板处理装置构成为具有:处理室,其进行所述基板的处理;旋转工作台,其被旋转驱动,并在所述处理室的内部保持所述基板;处理液供给部,其保持于所述旋转工作台,向旋转状态的所述基板供给处理液;带有能够开闭的门的多个排气路径,它们使所述处理液的雾从所述处理室向外部流出;以及门开闭切换构件,其根据所述基板的旋转方向切换所述门的开闭。
进而,本发明的基板处理方法向基板依次供给多种处理液而对基板进行处理,该基板处理方法构成为具有如下工序:第一工序,打开将第一处理液的雾从所述处理室内向外部排出的第一排气路径的门,使载置于旋转工作台的所述基板向第一方向旋转而供给所述第一处理液;第二工序,在停止所述第一处理液的供给而使载置于所述旋转工作台的所述基板的第一方向的旋转停止后,使载置于所述旋转工作台的所述基板向与所述第一方向相反的方向的第二方向旋转;以及第三工序,关闭所述第一排气路径的门,并且打开将第二处理液的雾从所述处理室内向外部排出的第二排气路径的门,向载置于所述旋转工作台的所述基板供给第二处理液。
根据本发明,能够高效地进行雾的回收。而且,即使在进行利用酸性处理液的处理与利用碱性处理液的处理的情况下,也能够在同一处理室内进行处理。
附图说明
图1是本发明的实施方式的基板处理装置的概略立体图。
图2是沿图1的A-A线的剖视图。
图3是沿图1的B-B线的剖视图。
图4是示出本发明的实施方式的基板处理装置的内部的概略立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造