[发明专利]一种采用非金属承载片的封装体及其工艺

说明书

一种采用非金属承载片的封装体，包括：封装体底面，封装体顶面，封装体中的第一芯片，和封装体中的第二芯片/第二假片；封装体底面包括非金属材质的承载片；承载片的上表面覆有第一金属箔；第一金属箔之上焊接有第一芯片、第二芯片/第二假片，其中，第二芯片/第二假片与第一芯片间隔一定距离；第一芯片之上焊接有第五假片，第二芯片/第二假片之上焊接有第六假片，其中：对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；第五假片、第六假片的上表面用于引出电极。以此，本公开实现了一种更简单、最大程度避免打线、更环保、更低成本的封装体。

技术领域

本公开属于电子领域，其具体涉及一种采用非金属承载片的封装体及其工艺。

背景技术

集成电路产业是信息化社会的基础性和先导性产业，其中，各种集成电路的封装及测试是整个产业链中的重要一环。就封装技术而已，主流的封装载板多采用HD工技术路线，其核心在于微孔导通与细线路的形成，然而该技术路线的设备及技术门槛高，投入大，需匹配专用的载板基材，且尺寸厚度受材料规格限制。

如何设计一种更简单、更环保、更低成本的封装体及其配套工艺，是封装产业亟须解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本公开揭示了一种采用非金属承载片的封装体，包括：

封装体底面，封装体顶面，封装体中的第一芯片，和封装体中的第二芯片/第二假片，其中，

所述封装体底面包括承载片，所述承载片为非金属材质；

所述承载片的上表面覆有第一金属箔；

所述第一金属箔之上焊接有所述第一芯片、以及焊接有所述第二芯片/第二假片，其中，所述第二芯片/第二假片与所述第一芯片间隔一定距离；

所述第一芯片之上焊接有第五假片，所述第二芯片/第二假片之上焊接有第六假片，其中：对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；并且，

所述第五假片、第六假片的上表面用于引出电极。

此外，本公开还揭示了一种采用非金属承载片的封装工艺，包括如下步骤：

S100：在非金属承载片的上表面设置第一金属箔，并对所述第一金属箔实施图形转移；

S200：在所述第一金属箔的上表面的第一区域焊接第一芯片，以及在所述第一金属箔的上表面的第二区域焊接第二芯片/第二假片，其中，所述第一区域和第二区域之间间隔一定距离；

S300：在第二芯片/第二假片、所述第一芯片之上，分别焊接第五假片和第六假片，其中，对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；

S400：对以上整体采用封装胶进行塑封形成封装体，且第五假片、第六假片的上表面通过塑封树脂胶形成封装体上表面；相应的，所述非金属承载片的下表面形成封装体下表面；

S500：使得第五假片和第六假片的上表面完全露出，且第五假片和第六假片的上表面用于引出电极。

另外，本公开还揭示了一种采用非金属承载片的封装工艺，包括如下步骤：

S110：在非金属承载片的上表面设置第一金属箔，并对所述第一金属箔实施图形转移；

S210：在所述第一金属箔的上表面的依次排列的第一区域至第四区域，分别焊接第一芯片、第二芯片/第二假片、第三芯片、第四芯片/第四假片，且所述第一芯片、第二芯片/第二假片、第三芯片、第四芯片/第四假片厚度一致，其中，所述第一区域至第四区域之间分别存在间隔；