[发明专利]工件的加工方法在审
| 申请号： | 201910836050.6 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110911288A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 北原信康 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工件 加工 方法 | ||
1.一种工件的加工方法，其特征在于，
该工件的加工方法包含如下的步骤：
保护膜形成步骤，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜；
加工步骤，对形成有该保护膜的工件进行加工；
劣化步骤，对加工后的工件提供有机溶剂而使该保护膜劣化；以及
去除步骤，对劣化后的该保护膜提供清洗水而将该保护膜从工件的该正面去除。
2.根据权利要求1所述的工件的加工方法，其特征在于，
在使该保护膜劣化时，一边使工件旋转一边对工件的中央部提供该有机溶剂而利用该有机溶剂将工件的整体覆盖，
在将该保护膜从工件的该正面去除时，向工件的该正面侧提供该清洗水而将该保护膜去除。
3.根据权利要求1或2所述的工件的加工方法，其特征在于，
该有机溶剂包含异丙醇。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的工件的加工方法，其特征在于，
在对形成有该保护膜的工件进行加工时，对工件的该正面侧照射能够被工件吸收的波长的激光束而形成工件被部分地去除而得的加工痕。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的工件的加工方法，其特征在于，
在对形成有该保护膜的工件进行加工时，一边利用卡盘工作台隔着该保护膜而对工件的该正面侧进行保持，一边对工件的背面进行磨削而使工件变薄。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的工件的加工方法，其特征在于，
在对形成有该保护膜的工件进行加工时，通过蚀刻而将工件的一部分去除，该蚀刻将该保护膜用作掩模。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910836050.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：拼车订单生成方法及设备
- 下一篇：扫描显示系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
