[发明专利]工件的加工方法

说明书

提供工件的加工方法，能够解决保护膜所引起的问题而对工件进行适当地加工。该工件的加工方法包含如下的步骤：保护膜形成步骤，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜；加工步骤，对形成有该保护膜的工件进行加工；劣化步骤，对加工后的工件提供有机溶剂而使该保护膜劣化；以及去除步骤，对劣化后的该保护膜提供清洗水而将该保护膜从工件的该正面去除。

技术领域

本发明涉及在对以晶片为代表的板状的工件进行加工时所用的工件的加工方法。

背景技术

在以移动电话或个人计算机为代表的电子设备中，具有电子电路等器件的器件芯片成为必须的构成要素。对于器件芯片，例如将由硅等半导体材料形成的晶片的正面侧利用分割预定线(间隔道)划分成多个区域，在各区域内形成器件之后，沿着该分割预定线对晶片进行分割，由此得到器件芯片。

在对以晶片为代表的板状的工件进行分割时，例如使用被称为激光烧蚀的加工方法(例如，参照专利文献1)。在该激光烧蚀中，通过激光束将工件的一部分熔融、升华，因此容易产生被称为碎屑等的加工屑。

当因激光烧蚀而产生的碎屑与工件接触并粘固时，不能将该碎屑从工件容易地去除。因此，预先利用水溶性的保护膜覆盖工件的正面侧，使碎屑不与工件接触(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2003-320466号公报

专利文献2：日本特开2006-14031号公报

另外，当利用激光烧蚀等对工件进行加工时，在工件的被加工区域产生加工变形(热变形)，器件芯片的抗弯强度降低。因此，研究了使用被称为蚀刻(湿蚀刻)的方法将加工变形从工件去除，该蚀刻利用药液(蚀刻液)对被加工区域进行处理。

在该蚀刻中，为了使药液选择性地作用于工件的被加工区域，例如考虑了使用上述的水溶性的保护膜作为掩模。但是，水溶性的保护膜几乎不具有对药液的耐性，因此当使用该水溶性的保护膜对工件进行处理时，保护膜在中途消失，药液也会作用于工件的要保护的区域。

还考虑了将非水溶性的保护膜设置于工件的正面来用作蚀刻时的掩模。在该情况下，在药液作用于工件之后，使用有机溶剂将非水溶性的保护膜从工件的正面去除。但是，在该方法中，保护膜等的残渣容易残留在工件的正面上。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供工件的加工方法，能够解决保护膜所引起的问题而对工件进行适当地加工。

根据本发明的一个方式，提供工件的加工方法，其中，该工件的加工方法包含如下的步骤：保护膜形成步骤，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜；加工步骤，对形成有该保护膜的工件进行加工；劣化步骤，对加工后的工件提供有机溶剂而使该保护膜劣化；以及去除步骤，对劣化后的该保护膜提供清洗水而将该保护膜从工件的该正面去除。

在本发明的一个方式中，优选在使该保护膜劣化时，一边使工件旋转一边向工件的中央部提供该有机溶剂，利用该有机溶剂将工件的整体覆盖，在将该保护膜从工件的该正面去除时，将该清洗水提供至工件的该正面侧而将该保护膜去除。另外，有时该有机溶剂包含异丙醇。

另外，也可以是，在对形成有该保护膜的工件进行加工时，对工件的该正面侧照射能够被工件吸收的波长的激光束而形成工件被部分地去除而得的加工痕。另外，也可以是，在对形成有该保护膜的工件进行加工时，一边利用卡盘工作台隔着该保护膜而对工件的该正面侧进行保持一边对工件的背面进行磨削而使工件变薄。另外，也可以是，在对形成有该保护膜的工件进行加工时，通过蚀刻将工件的一部分去除，该蚀刻将该保护膜用作掩模。

在本发明的一个方式的工件的加工方法中，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜，因此在对该工件进行加工时，通过保护膜适当地保护工件的正面侧。即，不会像使用水溶性的保护膜的情况那样，保护膜在加工的中途消失而损伤工件的要保护的区域。