[发明专利]一种分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法

权利要求书

1.一种分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，包括下述步骤：

步骤1，将来自于镉污染场地的硫酸盐还原菌样品接种培养瓶中，进行增菌培养；

步骤2，对增菌后的培养瓶内取样进行平板划线分离，在厌氧环境中恒温培养，挑取黑色菌落，通过显微镜初步判断纯度；

步骤3，将纯化的硫酸盐还原菌接种到液体培养基中恒温厌氧培养，然后接种于一系列不同镉浓度梯度的液体培养基中，恒温静置培养；

步骤4，在逐渐减弱的厌氧环境下培养；

步骤5，用镉污染的土壤作为培养基，将培养液包埋在污染土壤中，定期测定土壤样品中的镉含量。

2.根据权利要求1所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，在所述步骤1中，所述培养瓶内所采用的培养基为硫酸盐还原菌专用培养基。

3.根据权利要求2所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，所述步骤1，进一步为：所述的三次增菌培养中，第一次采用不灭菌的硫酸盐还原菌专用培养基，且接种量不低于10％；第二次和第三次采用灭菌的硫酸盐还原菌专用培养基。

4.根据权利要求1所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述厌氧环境通过厌氧袋和产气包获得。

5.根据权利要求4所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述恒温培养的温度为30-35℃。

6.据权利要求5所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，所述步骤2重复进行3-5次。

7.根据权利要求1所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，所述步骤3中，所述不同镉浓度梯度为25mg/L～100mg/L。

8.根据权利要求7所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，在所述步骤3中所述恒温厌氧培养的时长为7天。

9.根据权利要求1所述的分离高耐镉的硫酸盐还原菌的方法，其特征在于，所述步骤4，进一步为：通过去除厌氧袋并减少培养瓶中液体培养基的体积来逐渐减弱厌氧环境。