[发明专利]TFT基板以及包括该TFT基板的发光显示装置

说明书

TFT基板以及包括该TFT基板的发光显示装置。一种薄膜晶体管TFT基板包括：TFT，该TFT位于基板上并包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅制成，垂直堆叠，并使栅极位于两者之间，其中，第一半导体层和第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，第一沟道部分和第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。

技术领域

本公开涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板和包括该基板的发光显示装置。

背景技术

通常，其中形成有TFT的薄膜晶体管(TFT)基板用于发光显示装置，发光显示装置包括作为自发光装置的有机发光显示装置(OLED)。

TFT将非晶硅或多晶硅用于其有源层。由于多晶硅与非晶硅相比具有优异的迁移率等，需要高性能(诸如，高分辨率)的显示装置使用包括多晶硅的TFT基板。

像素中的驱动TFT是连接到发光二极管并驱动发光二极管的元件，并且需要具有长的长度的沟道以确保稳定的驱动特性。

然而，随着显示装置的分辨率增加，像素的尺寸减小。因此，存在驱动TFT不具有所需要的沟道长度的问题。

发明内容

因此，本发明涉及一种TFT基板和包括该TFT基板的发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。

本发明的一个优点是提供一种TFT基板和包括该TFT基板的发光显示装置，其使用多晶硅而能够确保驱动TFT的沟道长度并实现稳定的驱动特性。

本发明的其它特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过对本发明的实践而习得。本发明的这些和其它优点将通过在书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其它优点，并且根据本发明的目的，如本文所例示和宽泛描述的，薄膜晶体管(TFT)基板包括：TFT，该TFT位于基板上并且包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅制成，垂直堆叠并使栅极在两者之间，其中，第一半导体层和第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，第一沟道部分和第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。

在另一方面，一种显示装置包括：薄膜晶体管(TFT)基板，该TFT基板包括在基板上的TFT；以及第一电极，该第一电极连接到TFT的源极，其中，TFT包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅制成，垂直堆叠并使栅极在两者之间，其中，第一半导体层和第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，第一沟道部分和第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。

应理解，前面的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

包括附图是为了提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是示意性示出根据本发明的OLED显示装置的TFT基板的俯视图；

图2是示意性示出图1的像素区域的电路图；

图3是示意性示出根据本发明的第一实施方式的像素区域中的驱动TFT的平面结构的图；

图4是沿图3的IV-IV'线获取的截面图；

图5是沿图3的V-V'线获取的截面图；

图6是示意性示出根据本发明的第二实施方式的像素区域中的驱动TFT的结构的截面图；