[发明专利]一种用于检测LED芯片抗水解能力的检测装置及检测方法在审
| 申请号： | 201910837501.8 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110554300A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 余金隆;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/26;G01R1/02 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水解试剂 沟槽基板 探针卡 检测装置 检测 电源 逆向电压 抗水解 正负极 电离 水解 覆盖 | ||
1.一种用于检测LED芯片抗水解能力的检测装置，其特征在于，包括沟槽基板、水解试剂、探针卡和电源，LED芯片固定在沟槽基板上，所述水解试剂将LED芯片覆盖，所述探针卡与LED芯片的正负极连接，所述电源与探针卡连接，以向LED芯片导入逆向电压。
2.如权利要求1所述的用于检测LED芯片抗水解能力的检测装置，其特征在于，所述沟槽基板包括第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽交叉设置，第一沟槽和第二沟槽的交汇处设有凹陷区域，所述凹陷区域与第一沟槽和第二沟槽连通，所述LED芯片固定在凹陷区域。
3.如权利要求2所述的用于检测LED芯片抗水解能力的检测装置，其特征在于，所述沟槽基板包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，形成矩阵型结构，可同时固定多个LED芯片进行检测。
4.如权利要求1所述的用于检测LED芯片抗水解能力的检测装置，其特征在于，所述水解试剂为NaCl溶液、KCl溶液、RbCl溶液和CsCl溶液中的一种或几种。
5.一种LED芯片抗水解能力的检测方法，其特征在于，包括：
将LED芯片固定在沟槽基板上；
向沟槽基板通入水解试剂，所述水解试剂将所述LED芯片覆盖；
向LED芯片导入逆向电压，达到预设时间后，正向测试LED芯片是否能点亮；
若LED芯片可以点亮，则通过抗水解能力测试，若不能点亮，则不通过抗水解能力测试。
6.如权利要求5所述的LED芯片抗水解能力的检测方法，其特征在于，所述沟槽基板包括第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽交叉设置，第一沟槽和第二沟槽的交汇处设有凹陷区域，所述凹陷区域与第一沟槽和第二沟槽连通，所述LED芯片固定在凹陷区域。
7.如权利要求6所述的LED芯片抗水解能力的检测方法，其特征在于，所述沟槽基板包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，形成矩阵型结构，可同时固定多个LED芯片进行检测。
8.如权利要求5所述的LED芯片抗水解能力的检测方法，其特征在于，所述水解试剂为NaCl溶液、KCl溶液、RbCl溶液和CsCl溶液中的一种或几种。
9.如权利要求8所述的LED芯片抗水解能力的检测方法，其特征在于，所述水解试剂的浓度为0.1％～5％。
10.如权利要求1所述的LED芯片抗水解能力的检测方法，其特征在于，采用点测机台的探针卡向LED芯片导入逆向电压。
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