[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201910837877.9 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110568962B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 张翔睿;丘兆仟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044;H01L27/12 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 谢强;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,包括:
基板;
多个扫描线组,配置于该基板上,各该扫描线组包括第一扫描线以及第二扫描线,该第一扫描线及该第二扫描线的每一者包括像素段与继续该像素段的过度段,其中该第一扫描线的该过度段与该第二扫描线的该过度段之间至少隔开第一距离,该第一扫描线的该像素段与该第二扫描线的该像素段之间至少隔开第二距离,且该第一距离大于该第二距离;
多条数据线,配置于该基板上,各该数据线延伸交错该些扫描线组;
多条触控信号线,配置于该基板上,各该触控信号线延伸交错该些扫描线组,该些数据线与该些触控信号线交替排列;
多个像素结构,配置于该基板上,排成阵列,各该扫描线组位于相邻两列像素结构之间;以及
共用电极,配置于该基板上,且该共用电极包括电极部、接触部与连接部,该电极部重叠该些像素结构,该接触部位于其中一个扫描线组的该第一扫描线的该过度段与该第二扫描线的该过度段之间且电连接其中一条触控信号线,且该连接部横越其中一个过度段以连接于该电极部与该接触部之间。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中各该数据线横越对应的扫描线组的该第一扫描线的该像素段以及横越该对应的扫描线组的该第二扫描线的该像素段。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中各该触控信号线横越对应的扫描线组的该第一扫描线的该过度段以及横越该对应的扫描线组的该第二扫描线的该过度段。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该共用电极的该连接部的宽度为4微米至5微米。
5.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该些像素结构的每一者包括主动元件与连接于该主动元件的像素电极,且该像素电极与该共用电极的该电极部重叠。
6.如权利要求5所述的像素阵列基板,其中该主动元件包括栅极、半导体层、源极与漏极,该栅极连接于其中一个扫描线组的该第一扫描线与该第二扫描线的其中一者的该像素段,该半导体层重叠于该栅极,该源极连接于其中一条数据线且接触该半导体层,而该漏极连接该像素电极且接触该半导体层。
7.如权利要求6所述的像素阵列基板,其中该第一扫描线及该第二扫描线的每一者还包括转折段,该转折段连接于该像素段与该过度段之间,且该转折段与该栅极位于该像素段的两端而间隔一间隙。
8.如权利要求7所述的像素阵列基板,其中该漏极重叠该栅极,横越该间隙且重叠该转折段。
9.如权利要求8所述的像素阵列基板,其中该漏极包括与该像素电极接触的漏极接触部,且该漏极接触部位于该间隙中。
10.如权利要求6所述的像素阵列基板,其中该些像素结构中的第一像素结构与第二像素结构位于其中一条数据线的两侧,该第一像素结构的该主动元件与该第二像素结构的该主动元件分别连接于紧接的两个扫描线组。
11.如权利要求10所述的像素阵列基板,其中该第一像素结构的该主动元件的该漏极较该栅极更接近该些触控信号线的其中一条,该第二像素结构的该主动元件的该漏极较该栅极更接近该些触控信号线的另一条,该些触控信号线的该其中一条与该些触控信号线的该另一条位于该其中一条数据线的相反侧。
12.如权利要求6所述的像素阵列基板,其中该栅极所连接的该第一扫描线与该第二扫描线的该其中一者具有增宽部而构成该栅极,该共用电极的该电极部重叠于该栅极。
13.如权利要求5所述的像素阵列基板,其中该共用电极位于该像素电极与该基板之间,且该像素电极具有多个狭缝。
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