[发明专利]一种固态存储IC扩容封装方法及结构在审
| 申请号： | 201910840326.8 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110534438A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李修录;尹善腾;朱小聪;吴健全 | 申请（专利权）人： | 深圳市安信达存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L25/18;G11C5/02 |
| 代理公司： | 44519 深圳余梅专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 高真辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 桥接芯片 单元封装 单元连接 单元转换 固态存储 构建 扩容 封装 叠加 | ||
1.一种固态存储IC扩容封装方法，其特征在于，包括有如下步骤：
步骤S1，构建多个初级DIE单元(1)及一桥接芯片(2)；
步骤S2，将多个初级DIE单元(1)连接于所述桥接芯片(2)；
步骤S3，所述桥接芯片(2)将多个初级DIE单元(1)转换为多个次级DIE单元(3)，并且所述次级DIE单元(3)的数量少于所述初级DIE单元(1)的数量；
步骤S4，将所述桥接芯片(2)与多个次级DIE单元(3)封装为Flash芯片(4)。
2.如权利要求1所述的固态存储IC扩容封装方法，其特征在于，所述初级DIE单元(1)的数量是所述次级DIE单元(3)的2倍。
3.如权利要求1所述的固态存储IC扩容封装方法，其特征在于，所述初级DIE单元(1)的数量是所述次级DIE单元(3)的多倍。
4.如权利要求1所述的固态存储IC扩容封装方法，其特征在于，所述步骤S4中封装的Flash芯片(4)为BGA芯片。
5.一种固态存储IC扩容封装结构，其特征在于，包括有多个初级DIE单元(1)及一桥接芯片(2)，多个初级DIE单元(1)分别连接于所述桥接芯片(2)，借由所述桥接芯片(2)将多个初级DIE单元(1)转换为多个次级DIE单元(3)，并且所述次级DIE单元(3)的数量少于所述初级DIE单元(1)的数量，再将所述桥接芯片(2)与多个次级DIE单元(3)封装为Flash芯片(4)。
6.如权利要求5所述的固态存储IC扩容封装结构，其特征在于，所述初级DIE单元(1)的数量是所述次级DIE单元(3)的2倍。
7.如权利要求5所述的固态存储IC扩容封装结构，其特征在于，所述初级DIE单元(1)的数量是所述次级DIE单元(3)的多倍。
8.如权利要求5所述的固态存储IC扩容封装结构，其特征在于，所述Flash芯片(4)为BGA芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市安信达存储技术有限公司，未经深圳市安信达存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910840326.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
