[发明专利]一种固态存储IC扩容封装方法及结构

说明书

本发明公开了一种固态存储IC扩容封装方法，其包括有如下步骤：步骤S1，构建多个初级DIE单元及一桥接芯片；步骤S2，将多个初级DIE单元连接于所述桥接芯片；步骤S3，所述桥接芯片将多个初级DIE单元转换为多个次级DIE单元，并且所述次级DIE单元的数量少于所述初级DIE单元的数量；步骤S4，将所述桥接芯片与多个次级DIE单元封装为Flash芯片。本发明将多个DIE单元进行叠加后，通过桥接芯片组成新的Flash芯片，在不改变DIE单元的基础上实现容量提升。

技术领域

本发明涉及固态存储IC，尤其涉及一种固态存储IC扩容封装方法及结构。

背景技术

现有技术中，在SSD存储行业中，要实现大容量的SSD固态硬盘，就必须突破flash本身单颗容量的限制，现有的IC集成电路设计一般是MCU架构，请参见图1，其将CPU、存储器、多种I/O接口等集成在一个芯片上，形成一种芯片级计算，其原理是：通过CPU内的运算器、控制器、寄存器组以及存储器之间的配合实现各种数据的传输。然而，目前的SSD储存行业中，单颗大容量芯片价格贵和市场存库量少，而且单颗大容量芯片的CE数也会很多，导致在SSD固态硬盘的容量上存在限制，无法突破大容量SSD，特别是在未来市场所需8T SSD、16TBSSD甚至更大的容量SSD，现有技术都无法满足这些应用要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种将多个DIE单元进行叠加后，通过桥接芯片组成新的Flash芯片，在不改变DIE单元的基础上实现容量提升的固态存储IC扩容封装方法及结构。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。

一种固态存储IC扩容封装方法，其包括有如下步骤：步骤S1，构建多个初级DIE单元及一桥接芯片；步骤S2，将多个初级DIE单元连接于所述桥接芯片；步骤S3，所述桥接芯片将多个初级DIE单元转换为多个次级DIE单元，并且所述次级DIE单元的数量少于所述初级DIE单元的数量；步骤S4，将所述桥接芯片与多个次级DIE单元封装为Flash芯片。

优选地，所述初级DIE单元的数量是所述次级DIE单元的2倍。

优选地，所述初级DIE单元的数量是所述次级DIE单元的多倍。

优选地，所述步骤S4中封装的Flash芯片为BGA芯片。

一种固态存储IC扩容封装结构，其包括有多个初级DIE单元及一桥接芯片，多个初级DIE单元分别连接于所述桥接芯片，借由所述桥接芯片将多个初级DIE单元转换为多个次级DIE单元，并且所述次级DIE单元的数量少于所述初级DIE单元的数量，再将所述桥接芯片与多个次级DIE单元封装为Flash芯片。

本发明公开的固态存储IC扩容封装方法中，通过在所述Flash芯片里面增设一个桥接芯片，然后采用Flash芯片叠DIE单元的方法来增加Flash容量，例如，把两个单颗256G芯片中的DIE单元叠加之后，通过所述桥接芯片转换成一个512G的芯片，不对DIE单元进行实质改进，同时又可以扩充芯片容量，进而实现了Flash芯片容量的提升，满足了应用需求，特别是在未来市场中的8T SSD、16TBSSD甚至更大的容量SSD应用场合中，都具有较好的应用前景。

附图说明

图1为现有固态存储IC集成电路的组成架构图；

图2为Flash芯片封装前后的结构示意图；

图3为固态存储IC扩容封装方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作更加详细的描述。

本发明公开了一种固态存储IC扩容封装方法，结合图2和图3所示，其包括有如下步骤：