[发明专利]一种新型结构的F23类压控振荡器有效
| 申请号： | 201910840839.9 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110661489B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 康凯;周龙龙;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03B1/04 | 分类号： | H03B1/04;H03B5/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 f23 压控振荡器 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型结构的F23类压控振荡器，包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔，其特征在于：
所述交叉耦合管对由MOS管M1、MOS管M2构成，所述MOS管M1的栅极连接MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接MOS管M2的栅极；
所述第一谐振腔由电感L1、变容管构成；所述变容管与电感L1并联后两端分别与MOS管M1、MOS管M2的漏极相连，且两个连接端分别作为压控振荡器的输出端OUT+、输出端OUT-；所述电感L1的中心抽头接电源VDD，所述变容管由两个变容管Cvar串联组成、两个变容管Cvar之间加入调谐电压；
所述第二谐振腔由电感Lc、两个相同电容C、两个相同电感Ld构成；所述两个电感Ld串联后两端分别与MOS管M1、MOS管M2的源极相连，所述电感Lc一端接于两个电感Ld中间、另一端接地，所述两个电容C一端均接地、另一端分别与MOS管M1、MOS管M2的源极相连；电感Lc及电感Ld的感值满足关系式：
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