[发明专利]薄膜在审
| 申请号： | 201910841379.1 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110641108A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 藤野望;梨木智刚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/08 | 分类号： | B32B27/08;B32B27/20;B32B27/30;B32B27/32;B32B27/36;B32B33/00;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/34;C23C14/54;C08J7/04;C08L67/02 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机氧化物层 氢原子 无机层 基材 高分子薄膜 金属层 薄膜 | ||
1.一种薄膜，其特征在于，其依次具备基材和无机层，
所述基材由厚度为2μm以上300μm以下的高分子薄膜形成，
所述无机层依次具备第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层，
所述第1无机氧化物层及第2无机氧化物层含有氢原子，
所述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与所述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1之比即H2/H1为0.10以上且10.00以下。
2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1及所述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2均为5×1019原子/cm3以上且8000×1019原子/cm3以下。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，在所述第1无机氧化物层及所述第2无机氧化物层中，至少一者含有氧化铟。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，所述第1无机氧化物层及所述第2无机氧化物层均为非晶质。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，所述第2无机氧化物层的厚度T2与所述第1无机氧化物层的厚度T1之比即T2/T1为0.5以上且1.5以下。
6.根据权利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，所述第1无机氧化物层及所述第2无机氧化物层还含有碳原子，
所述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1与碳原子的含量C1的总含量(H1+C1)、及所述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与碳原子的含量C2的总含量(H2+C2)均为6×1019原子/cm3以上且10000×1019原子/cm3以下。
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