[发明专利]薄膜

说明书

薄膜依次具备基材和无机层。基材由厚度为2μm以上300μm以下的高分子薄膜形成。无机层依次具备第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层。第1无机氧化物层及第2无机氧化物层含有氢原子。第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)为0.10以上且10.00以下。

本申请是申请日为2016年2月18日(最早优先权日为2015年2月24日)、申请号为201680002183.8、发明名称为“透光性薄膜”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及透光性薄膜，详细而言，涉及适合用于光学用途的透光性薄膜。

背景技术

迄今为止，已知将具备透明导电层的透明导电性薄膜等透光性薄膜用于触摸面板等光学用途。

例如，提出了在玻璃基板上形成有透明氧化物薄膜、银系薄膜及透明氧化物薄膜的透明导电膜(例如参照专利文献1)。专利文献1的透明导电膜中，2层的透明氧化导电膜均由包含氧化铟的混合氧化物形成。

专利文献1中，为了将透明导电膜图案化，首先，在上侧的透明氧化物薄膜上形成电极形状的抗蚀剂膜，接着，利用蚀刻液对从抗蚀剂膜露出的部位进行蚀刻，从而将3层的薄膜形成为电极形状。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-176837号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，2层的透明氧化导电膜对蚀刻液的蚀刻速度差异大时，即，2层的透明氧化导电膜中一者比另一者明显快时，如果以另一个透明氧化导电膜的图案化结束的方式来设定透明导电膜的蚀刻时间，则相对于抗蚀剂膜的边缘，在一个透明氧化导电膜上会形成从其边缘侵蚀到内侧的过度蚀刻部分(或侧面蚀刻部分)。这种情况下，透明导电膜存在会变得难以保持其形状，进而不能可靠地发挥期待作用(例如导电作用)的不良情况。

相反，如果以一个透明氧化导电膜的图案化结束的方式来设定透明导电膜的蚀刻时间，则不能使蚀刻速度比这一个透明氧化导电膜明显慢的另一个透明氧化导电膜的图案化结束，即，存在不能将另一个透明氧化导电膜图案化为目标形状的不良情况。

本发明的目的在于，提供一种透光性薄膜，其能够通过蚀刻更可靠地将第1无机氧化物层及第2无机氧化物层这两者图案化，并且能够抑制过度蚀刻部分的形成。

用于解决问题的方案

本发明的透光性薄膜的特征在于，其依次具备透明基材和透光性无机层，前述透明基材由高分子薄膜形成，前述透光性无机层依次具备第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层，前述透光性无机层具有导电性，前述第1无机氧化物层及第2无机氧化物层含有氢原子，前述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与前述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)为0.10以上且10.00以下。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，前述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1及前述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2均为5×10¹⁹原子/cm³以上且8000×10¹⁹原子/cm³以下。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，在前述第1无机氧化物层及前述第2无机氧化物层中，至少一者含有氧化铟。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，前述第1无机氧化物层及前述第2无机氧化物层均为非晶质。