[发明专利]一种盲孔金属化铝基板及其生产工艺有效
申请号: | 201910842189.1 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN110610899B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 张渊;曾琳;张静 | 申请(专利权)人: | 麦德美科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 胡昌国 |
地址: | 215126 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属化 铝基板 及其 生产工艺 | ||
1.一种盲孔金属化铝基板,其特征在于,包括:
铝基板,所述铝基板的全面上覆有树脂层,所述树脂层上设有铜覆层,所述铝基板上设有盲孔,所述盲孔穿过铜覆层和树脂层设置在所述铝基板上,所述盲孔的处于铝基板的上的表面上依次设有锌覆层、镍覆层以及第一铜覆层,所述铜覆层上设有第一铜覆层,所述盲孔处于树脂层的表面上设有碳层,所述铜覆层、第一铜覆层以及碳层上覆有第二铜覆层。
2.如权利要求1所述的一种盲孔金属化铝基板,其特征在于:所述镍覆层的厚度为1um。
3.如权利要求1所述的一种盲孔金属化铝基板,其特征在于:所述第一铜覆层的厚度为5um。
4.如权利要求1所述的一种盲孔金属化铝基板,其特征在于:所述第二铜覆层的厚度为25um。
5.一种盲孔金属化铝基板的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
在铝基板上依次设置树脂层和铜覆层,在设置了树脂层和铜覆层的铝基板上设置盲孔,所述盲孔穿过树脂层和铜覆层设置在所述铝基板上;
对设置了盲孔的所述铝基板进行碱性除油、酸性蚀刻和去黑膜;
通过电阻测量确认铝基与铜基的完全绝缘,以保证浸锌和化学镍仅发生在铝基板上,对进行了碱性除油、酸性蚀刻和去黑膜的铝基板上的盲孔进行浸锌、褪锌和二次浸锌,使得所述盲孔处于所述铝基板上的表面上形成锌覆层;
在锌覆层上进行化学镀镍,在所述锌覆层上形成镍覆层;
使用焦磷酸铜在所述铜覆层和所述镍覆层上电镀铜,形成第一铜覆层;
在树脂层上使用黑孔液进行涂覆形成碳层;
使用硫酸铜在所述铜覆层、碳层以及第一铜覆层上电镀铜,形成第二铜覆层。
6.如权利要求5所述的一种盲孔金属化铝基板的生产工艺,其特征在于:所述碱性除油的温度为55℃-65℃,时间为2min-4min;酸性蚀刻的温度为60℃-70℃,时间为2min-4min。
7.如权利要求5所述的一种盲孔金属化铝基板的生产工艺,其特征在于:所述浸锌的温度为25℃-35℃,时间为0 .5min-1 .5min;所述褪锌的温度为20℃-30℃,时间为0 .5min;所述二次浸锌的温度为25℃-35℃,时间为15s-25s。
8.如权利要求5所述的一种盲孔金属化铝基板的生产工艺,其特征在于:所述化学镀镍的温度为25℃-35℃,时间为8min-12min。
9.如权利要求5所述的一种盲孔金属化铝基板的生产工艺,其特征在于:使用焦磷酸铜在所述铜覆层和所述镍覆层上电镀铜时温度为45℃-55℃,时间为25min-35min。
10.如权利要求5所述的一种盲孔金属化铝基板的生产工艺,其特征在于:使用硫酸铜在所述铜覆层、碳层以及第一铜覆层上电镀铜时温度为20℃-30℃,时间为90min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造