[发明专利]用于决定及控制受测装置的接合面温度的方法

权利要求书

1.一种用于控制一受测装置的接合面温度的方法，包括：

施加一逆向偏压到相邻于该受测装置的一参考二极管；

在施加该逆向偏压至该参考二极管时，施加一顺向偏压至该受测装置；

获得该参考二极管在该逆向偏压下的一校准电流；

根据该参考二极管导出该受测装置的该接合面温度；及

当该受测装置的接合面温度偏离一预定温度范围的一预定值时，调整一环境温度。

2.如权利要求1所述的方法，其中在多个温度点下执行将该逆向偏压施加到该参考二极管。

3.如权利要求1所述的方法，其中根据该参考二极管导出该受测装置的该接合面温度包括参考该参考二极管的一预定电流-温度特性。

4.如权利要求1所述的方法，其中调整该环境温度包括当该接合面温度低于该预定值3度时，提高该环境温度。

5.如权利要求1所述的方法，其中调整该环境温度包括当该接合面温度高于该预定值3度时，降低该环境温度。

6.如权利要求1所述的方法，其中调整该环境温度包括调整将该受测装置和该参考二极管置于其中的一烤炉或一吸盘的温度。

7.如权利要求3所述的方法，其中当该参考二极管的一测量电流偏离一预定电流范围的一预定值时，调整该环境温度。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：根据该参考二极管的一预定电流-温度特性，从该预定温度范围导出该预定电流范围。

9.一种用于决定一受测装置的接合面温度的方法，包括：

施加一逆向偏压到相邻于该受测装置的一参考二极管；

获得该参考二极管在该逆向偏压下的一校准电流；及

根据该参考二极管的一预定电流-温度特性，导出该受测装置的该接合面温度，包括：

在施加一顺向偏压至该受测装置时，获得在该逆向偏压之下的该参考二极管的一测量电流。

10.如权利要求9所述的方法，其中该参考二极管紧邻该受测装置。

11.如权利要求9所述的方法，其中在多个温度点上该逆向偏压之下，测量该参考二极管的该预定电流-温度特性。

12.一种用于特征化一受测装置的方法，包括：

将一参考二极管和一受测装置置于一第一环境温度内；

根据该参考二极管的一预定电流-温度特性，导出该受测装置的一接合面温度，包括：

同时施加一逆向偏压至该参考二极管及施加一正向偏压至该受测装置；及

当该受测装置的该接合面温度偏离一预定温度范围的一预定温度时，调整该第一环境温度。

13.如权利要求12所述的方法，其中该预定温度范围在正负3度之内。

14.如权利要求12所述的方法，其中在多个温度点上该逆向偏压之下，测量该参考二极管的该预定电流-温度特性。

15.如权利要求14所述的方法，其中该多个温度点在从摄氏25度至摄氏125度的范围内。

16.如权利要求12所述的方法，其中调整该第一环境温度包括当该受测装置的该接合面温度高于该预定温度范围的该预定温度时，将该第一环境温度降低至一第二环境温度。

17.如权利要求12所述的方法，其中通过一比例积分微分控制器来调整该第一环境温度。