[发明专利]用于决定及控制受测装置的接合面温度的方法

说明书

本发明提供一种用于控制受测装置接合面温度的方法，其包括：将一逆向偏压施加到相邻于该受测装置的一参考二极管；在该逆向偏压下获得该参考二极管的一校准电流；根据该参考二极管导出该受测装置的该接合面温度；及当该受测装置的接合面温度偏离一预定温度范围的一预定值时，调整一环境温度。

相关申请案的交叉参考

本申请主张享有于2019年4月15日申请的美国专利申请第16/384,579号的优先权，其全文并入本案作为参考。

技术领域

本发明实施例涉及用于决定受测装置的接合面温度的方法及用于控制受测装置的接合面温度的方法。

背景技术

半导体元件的二极管可具有一接合面，接合面就是两类型半导体材料之间的半导体元件内的界面，其中该两类型半导体材料具有不同电气特性，并且该电气特性决定半导体元件的性质。

为了在不同接合面温度下特征化具有改进精度的半导体元件，需要以较佳精度来判断装置的接合面温度，并将装置的接合面温度控制在所需范围内。借此可执行半导体元件的特征化，同时避免装置的接合面温度显著偏离目标值的风险。

发明内容

本发明的一些具体实施例提供一种用于控制受测装置接合面温度的方法，其包括：施加一逆向偏压到相邻于该受测装置的一参考二极管；获得该参考二极管在该逆向偏压下的一校准电流；根据该参考二极管导出该受测装置的该接合面温度；及当该受测装置的接合面温度偏离一预定温度范围的一预定值时，调整一环境温度。

本发明的一些具体实施例提供一种用于决定受测装置接合面温度的方法，其包括：施加一逆向偏压到相邻于该受测装置的一参考二极管；获得该参考二极管在该逆向偏压下的一校准电流；及根据该参考二极管的一预定电流-温度特性，导出该受测装置的该接合面温度。

本发明的一些具体实施例提供一种用于特征化一受测装置的方法，其包括：将一参考二极管和一受测装置置于一第一环境温度内；根据该参考二极管的一预定电流-温度特性，导出该受测装置的一接合面温度；及当该受测装置的该接合面温度偏离一预定温度范围的一预定温度时，调整该第一环境温度。

附图说明

从下列实施方式连同附图的说明可更好地了解本发明的实施方式。注意，根据产业中的标准实践，各种特征件并未按比例示出。实际上，为了清晰起见，任意放大或缩小各种特征件的尺寸。

图1显示根据本发明的一些具体实施例示出用于决定受测装置的接合面温度的方法的各个步骤流程图。

图2显示根据本发明的一些具体实施例示出用于将一参考二极管特征化的方法的各个步骤的流程图。

图3为根据本发明的一些具体实施例示出在逆偏压下的一参考二极管的示意图。

图4为根据本发明的一些具体实施例示出一参考二极管的电流-电压特性的曲线图。

图5为根据本发明的一些具体实施例示出一参考二极管的电流-温度特性的曲线图。

图6为根据本发明的一些具体实施例示出用于将一受测装置特征化的方法各个步骤的流程图。

图7为根据本发明的一些具体实施例示出用于控制受测装置的接合面温度的方法各个步骤的流程图。

图8为根据本发明的一些具体实施例示出用于测试一受测装置的设备的示意图。

图9为根据本发明的一些具体实施例示出包括一受测装置及一参考二极管的半导体设备的示意图。

图10为根据本发明的一些具体实施例示出在一期间内的受测装置的接合面温度变化的曲线图。

图11为根据本发明的一些具体实施例示出在一期间内的参考二极管的电流变化的曲线图。

附图标记说明：