[发明专利]IC载板通孔填埋工艺有效
| 申请号： | 201910845520.5 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110993506B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 曾琳;张静;张渊 | 申请（专利权）人： | 麦德美科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 胡昌国 |
| 地址： | 215126 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ic 载板通孔填埋 工艺 | ||
1.一种IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，包括以下步骤：
IC载板钻孔：在IC载板上设置通孔，对通孔进行金属化或黑孔化；
酸性除油：使用酸性除油剂对所述IC载板进行酸性除油，酸性除油的温度为40-50℃，时间为2-5min；
水洗：将进行了酸性除油的IC载板进行水洗，水洗的温度为20-28℃，时间为2-4min；
预浸：使用硫酸溶液对IC载板进行预浸，预浸的温度为20-28℃，时间为1-3min；
二次水洗：对进行了预浸的IC载板再次进行水洗，水洗的温度为20-28℃，时间为2-4min；
电镀铜：使用电镀药水对进行了二次水洗的IC载板进行电镀，电镀时间t根据工件厚度h设定，当有效电流密度为20asf，电镀时间和工件厚度关系：t(min)＝60*h(mil),当电流密度为10asf，电镀时间和工件厚度关系：t(min)＝120*h(mil)；
对所述IC载板进行电镀时，先使用第一直流电流闪镀薄铜；然后采用周期脉冲提供无空洞电镀铜层；最后使用第二直流电流对通孔进行填充。
2.如权利要求1所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述酸性除油中使用的药水为麦德美科技(苏州)有限公司提供的产品代码为175032，产品名称为717Acid Cleaner的除油剂；除油剂与水进行配置，浓度为10％。
3.如权利要求1所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述预浸中使用的药水为硫酸溶液，所述硫酸溶液的浓度为8-12％。
4.如权利要求1所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述电镀铜中使用的电镀药水为麦德美科技(苏州)有限公司提供的产品代码为112436，产品名称为PPR 100Inert Br的电镀药水，所述电镀药水按TDS进行配置。
5.如权利要求1所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述电镀铜时，电镀槽内的温度为25℃。
6.如权利要求5所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述电镀铜时，电镀槽中每个喷盘的喷流压力为1.0KPa。
7.如权利要求1所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述第一直流电流的大小范围为15-25asf，通入时间为5-10min。
8.如权利要求1所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述第二直流电流的大小范围为15-25asf，通入时间为30-90min。
9.如权利要求1所述的IC载板通孔填埋工艺，其特征在于，所述周期脉冲的参数：1HZ，90shift，正向电流比例50％/100％，反向电流比例300％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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