[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

在基板上的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个包括存取晶体管和下拉晶体管；

在所述存储单元上的第一线层，所述第一线层包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；

在所述第一线层上的第二线层，所述第二线层包括具有开口的接地线和在所述开口中的上着陆焊盘；以及

在所述第二线层上的包括字线的第三线层，

其中所述接地线通过所述第一下着陆焊盘电连接到所述下拉晶体管的端子，并且

其中所述字线通过所述上着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘电连接到所述存取晶体管的端子。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述第一线层包括位线和电源线，并且

所述位线和所述电源线在第二方向上彼此平行地延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中

所述第一下着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘邻近所述位线，并且

所述第一下着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘分别布置在所述第二方向上。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述上着陆焊盘的至少一部分与所述第二下着陆焊盘竖直地重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述上着陆焊盘包括在所述开口中的一对上着陆焊盘。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述接地线具有多个开口，并且

所述接地线是网格型导电结构。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述接地线包括在第二方向上延伸的第一部分以及在与所述第二方向相交的第一方向上延伸的第二部分，并且

所述开口由一对所述第一部分和一对所述第二部分限定。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中所述第一部分在所述第一方向上的宽度大于所述第二部分在所述第二方向上的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

在所述第三线层上的包括上字线的第四线层，

其中所述字线和所述上字线彼此电连接。

10.一种半导体存储器件，包括：

在基板上的多个存储单元晶体管；

在所述多个存储单元晶体管上的第一线层；以及

在所述第一线层上的第二线层，

其中所述第二线层包括接地线，该接地线具有多个开口并具有通过所述第一线层到所述多个存储单元晶体管中的第一存储晶体管的端子的电连接，

其中所述接地线包括在第二方向上延伸的一对第一部分以及在与所述第二方向相交的第一方向上延伸的一对第二部分，

其中每个所述开口由所述一对第一部分和所述一对第二部分限定，并且

其中所述一对第一部分中的每个第一部分在所述第一方向上的宽度大于所述一对第二部分中的每个所述第二部分在所述第二方向上的宽度。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中

所述第一线层包括位线、电源线、第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘，并且

所述接地线通过所述第一下着陆焊盘电连接到所述第一存储晶体管的所述端子。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述第二线层包括在所述开口中的上着陆焊盘。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中

所述半导体存储器件还包括在所述第二线层上的第三线层，并且

所述第三线层包括字线，该字线通过所述上着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘电连接到所述多个存储单元晶体管中的第二存储晶体管的端子。