[发明专利]半导体存储器件

说明书

公开了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：在基板上的多个存储单元，每个存储单元包括存取晶体管、上拉晶体管和下拉晶体管；第一线层，在存储单元上并包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；第二线层，在第一线层上并包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘；以及包括字线的第三线层，在第二线层上。接地线通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。

技术领域

一些发明构思的一些示例实施方式涉及一种半导体存储器件，更具体地，涉及包括多个存储单元的半导体存储器件。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子产业中是有益的。半导体器件的示例包括存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及具有存储元件和逻辑元件两者的混合半导体器件。随着电子产业的先进发展，半导体器件已经日益集成。例如，越来越要求半导体器件表现出诸如高可靠性、高速度和/或多功能性的特性。半导体器件已经逐渐复杂化并集成以满足这些要求的特性。

发明内容

根据一些方面构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：在基板上的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个包括存取晶体管和下拉晶体管；在存储单元上的第一线层，第一线层包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；在第一线层上的第二线层，该第二线层包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘；以及在第二线层上的包括字线的第三线层。接地线可以通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线可以通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。

根据一些方面构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：在基板上的多个存储单元晶体管；在所述多个存储单元晶体管上的第一线层；以及在第一线层上的第二线层。第二线层可以包括接地线，该接地线具有多个开口并具有通过第一线层到所述多个存储单元晶体管中的第一存储晶体管的端子的电连接。接地线可以包括在第二方向上延伸的一对第一部分和在与第二方向相交的第一方向上延伸的一对第二部分。每个开口可以由该对第一部分和该对第二部分限定。该对第一部分中的每个第一部分在第一方向上的宽度可以大于该对第二部分中的每个第二部分在第二方向上的宽度。

根据一些方面构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：在基板上的多个存储单元，每个存储单元包括多个存储晶体管；以及顺序堆叠在所述多个存储单元上的第一线层、第二线层和第三线层。第一线层可以包括位线、电源线和第一下着陆焊盘。第二线层可以包括接地线和上着陆焊盘。第三线层可以包括字线。字线可以通过上着陆焊盘和第一下着陆焊盘电连接到所述多个存储晶体管中的第一存储晶体管的端子。

附图说明

图1示出示例电路图，其示出根据一些发明构思的一些示例实施方式的SRAM单元。

图2示出平面图，其示出根据一些发明构思的一些示例实施方式的示例半导体存储器件的线层。

图3示出放大平面图的示例，其示出图2的部分M。

图4示出简化的透视图，其示出图2的示例部分M。

图5示出图3中绘出的示例部分N的放大平面图，其包括根据图1的示例电路图的示例SRAM。

图6A至图6D示出分别沿着图5的线A-A'、B-B'、C-C'和D-D'截取的剖视图的示例。

图7示出图3中绘出的部分M的示例的平面图，其包括根据一些发明构思的一些示例实施方式的示例半导体存储器件。

图8示出包括图2中绘出的部分M的线层的示例的简化透视图。

图9示出图2中绘出的部分M的示例的简化透视图，其包括根据一些发明构思的一些示例实施方式的示例半导体存储器件。

具体实施方式