[发明专利]一种空气桥监控结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910847940.7 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110752166A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林易展;陈建星;王淋雨;郑伯涛;林伟;章剑清;郭一帆;邱文宗;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空气桥 金属 焊盘 检测 空气桥结构 桥面 参数数据 监控结构 连接金属 金属线 监控 衬底 制作 半导体 横跨 节约 | ||
1.一种空气桥监控结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在待做空气桥的桥面金属下方的半导体衬底上制作监控金属，所述监控金属包含有第一焊盘、处在桥面金属正下方的金属段以及连接金属段和第一焊盘的金属线；
覆盖桥墩光阻，并在金属段的两侧桥墩处显影，桥墩之间的距离大于金属段两侧宽度；
溅镀种金，形成金属种层，覆盖桥面光阻，并在金属段正上方桥面处显影；
沉积金属到桥墩和桥面处，并去除光阻，得到空气桥结构。
2.如权利要求1所述的一种空气桥监控结构的制作方法，其特征在于，制作监控金属后，还包括步骤：覆盖氮化物，并在监控金属的金属段和第一焊盘处开口。
3.如权利要求1所述的一种空气桥监控结构的制作方法，其特征在于，显影桥墩光阻后还包括步骤：烘烤桥墩光阻，所述桥墩光阻形成表面平滑的拱形结构。
4.如权利要求1所述的一种空气桥监控结构的制作方法，其特征在于，所述金属段为多个，所述空气桥结构为多个，每个空气桥结构对应一个金属段，多个金属段与第一焊盘连接。
5.如权利要求1到4任意一项所述的一种空气桥监控结构的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为砷化镓衬底。
6.一种空气桥监控结构，其特征在于，所述空气桥监控结构由权利要求1-5任意一项的一种空气桥监控结构的制作方法制得。
7.一种空气桥监控结构，其特征在于，包括设置在半导体衬底上的监控金属和空气桥结构；
所述监控金属包括第一焊盘、在空气桥结构下方的金属段以及连接金属段和第一焊盘的金属线；
所述空气桥结构横跨金属段，所述空气桥结构的两端分别连接有第二焊盘、第三焊盘。
8.如权利要求7所述的一种空气桥监控结构，其特征在于，还包括氮化物，所述氮化物覆盖于金属线上。
9.如权利要求7所述的一种空气桥监控结构，其特征在于，所述金属段为多个，所述空气桥结构为多个，每个空气桥结构对应一个金属段，多个金属段与第一焊盘连接。
10.如权利要求7到9任意一项所述的一种空气桥监控结构，其特征在于，所述半导体衬底为砷化镓衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
