[发明专利]一种空气桥监控结构及其制作方法在审
申请号: | 201910847940.7 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN110752166A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 林易展;陈建星;王淋雨;郑伯涛;林伟;章剑清;郭一帆;邱文宗;林伟铭 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 徐剑兵;张忠波 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空气桥 金属 焊盘 检测 空气桥结构 桥面 参数数据 监控结构 连接金属 金属线 监控 衬底 制作 半导体 横跨 节约 | ||
本发明公开一种空气桥监控结构及其制作方法,其中方法包括如下步骤:在待做空气桥结构的桥面金属下方的半导体衬底上制作监控金属,监控金属包含有处在桥面金属正下方的金属段、第一焊盘以及连接金属段和第一焊盘的金属线。空气桥结构横跨金属段上,在检测空气桥的完好程度的时候,只需检测第一焊盘与空气桥之间的参数以及同一个空气桥两端的参数数据,就可高效的检测出空气桥的完好程度,同时也极大程度的节约的检测的成本。
技术领域
本发明涉及芯片领域,尤其涉及一种空气桥监控结构及其制作方法。
背景技术
空气桥的主要作用是减小器件结构之间的寄生电容,所以判断空气桥是否完好是非常重要的。在现有技术中,只能通过空气桥引出的焊盘,测量空气桥是否断路,不能有效的监控出空气桥是否被压塌。因此,改变现有空气桥的监控结构及其制作方法,使空气桥的完好程度得到有效的监控,并降低检测成本,是当前空气桥的监控结构及其制作方法研究的方向。
发明内容
为此,需要提供一种空气桥监控结构的制作方法,解决空气桥的监控,以及检测成本高昂的问题。
为实现上述目的,发明人提供了一种空气桥监控结构的制作方法,包括以下步骤:
在待做空气桥结构的桥面金属下方的半导体衬底上制作监控金属,所述监控金属包含有第一焊盘、处在桥面金属正下方的金属段以及连接金属段和第一焊盘的金属线;
覆盖桥墩光阻,并在金属段的两侧桥墩处显影,桥墩之间的距离大于金属段两侧宽度;
溅镀种金,覆盖桥面光阻,并在金属段正上方桥面处显影;
沉积金属到桥墩和桥面处,并去除光阻,得到空气桥结构。
优选的,制作监控金属后,还包括步骤:覆盖氮化物,并在监控金属的金属段和第一焊盘处开口。
优选的,显影桥墩光阻后还包括步骤:烘烤桥墩光阻,所述桥墩光阻形成表面平滑的拱形结构。
优选的,所述金属段为多个,所述空气桥结构为多个,每个空气桥结构对应一个金属段,多个金属段与第一焊盘连接。
优选的,所述半导体衬底为砷化镓衬底。
发明人还提供了一种空气桥监控结构,由本发明任一项实施例的方法制得。
发明人还提供了一种空气桥监控结构,包括设置在半导体衬底上的监控金属和空气桥结构。所述监控金属包括第一焊盘、在空气桥结构下方的金属段以及连接金属段和第一焊盘的金属线,所述空气桥结构横跨金属段,所述空气桥结构的两端分别连接有第二焊盘、第三焊盘。
优选的,还包括氮化物,所述氮化物覆盖于金属线上。
优选的,所述金属段为多个,所述空气桥结构为多个,每个空气桥结构对应一个金属段,多个金属段与第一焊盘连接。
优选的,所述半导体衬底为砷化镓衬底。
区别于现有技术,上述技术方案在待做空气桥结构的桥面金属下方的半导体衬底上制作监控金属,所述监控金属包含有处在桥面金属正下方的金属段、第一焊盘以及连接金属段和第一焊盘的金属线。金属段通过金属线与第一焊盘相连,空气桥结构横跨金属段上,在检测空气桥的完好程度的时候,只需检测第一焊盘与空气桥之间的参数以及同一个空气桥两端的参数数据。当空气桥没有发生倒塌时,则金属段与空气桥桥面形成断路,所测的第一焊盘与空气桥之间的阻值参数将接近正无穷,如果空气桥倒塌,则金属段与空气桥桥面会形成连接的通路,则第一焊盘与空气桥之间的阻值参数则会变小甚至接近于零。当空气桥发生断路时,空气桥发生断路,则所测得的空气桥两端间的阻值参数将接近正无穷。就可以高效的检测出空气桥的完好程度,同时也极大程度的节约的检测的成本。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造