[发明专利]LED灯珠制备方法在审
| 申请号： | 201910849860.5 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110767791A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 江柳杨;赵汉民 | 申请（专利权）人： | 江西省晶能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刀片 透明硅胶层 荧光胶层 白胶层 高反射 倒装LED芯片 封装底板 切割道 压合 切割 单颗LED灯珠 有效解决 表面压 不一致 齐平 制备 封装 发光 | ||
1.一种LED灯珠制备方法，其特征在于，包括：
S10将倒装LED芯片固于封装底板表面；
S20在LED芯片表面压合荧光胶层，在LED芯片表面荧光胶层的厚度为30～150μm；
S30在所述荧光胶层表面压合透明硅胶层；
S40沿切割道使用第一刀片对LED芯片间的荧光胶层和透明硅胶层进行切割，所述第一刀片的宽度为300～600μm；
S50在LED芯片之间压合高反射白胶层，所述高反射白胶层与LED芯片表面的透明硅胶层齐平；
S60沿切割道使用第二刀片对LED芯片间的高反射白胶层及封装底板进行切割得到单颗LED灯珠，所述第二刀片的宽度为100～200μm。
2.如权利要求1所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述第一刀片和第二刀片为树脂刀。
3.如权利要求1或2所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，在步骤S20中，包括：
S21将固有LED芯片的封装底板放入压膜机的模具中；
S22将荧光粉和硅胶的混合物注入模具中；
S23压合并烘烤得到荧光胶层，所述荧光胶层全覆盖于LED芯片表面，其中，在80℃～120℃的温度下压合2～6min，在150℃下烘烤1.5～2h。
4.如权利要求1或2所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，在步骤S30中包括：
S31将压合有荧光胶层的封装底板放入压膜机的模具中；
S32将混有TiO2的硅胶注入模具中；
S33压合并烘烤得到透明硅胶层，其中，在80℃～120℃的温度下压合2～6min，在150℃下烘烤1.5～3h。
5.如权利要求4所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述透明硅胶层的厚度为30～80μm。
6.如权利要求1或2或5所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，在步骤S50中包括：
S51将第一刀片切割后的封装底板置于压膜机的模具中；
S52将高反射率白胶注入模具中；
S53压合并烘烤得到高反射白胶层，其中，在120℃的温度下压合3min，在150℃下烘烤2.5h，且所述高反射白胶层高于透明硅胶层10～50μm；
S54对所述透明硅胶层进行研磨直到露出透明硅胶层。
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