[发明专利]6750nm长波通红外滤光敏感元件

权利要求书

1.一种6750nm长波通红外滤光敏感元件，包括基板、第一镀膜层和第二镀膜层，其中基板设于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征在于：

所述基板为Ge基板；

所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有322～342nm厚度的Ge层、273～293nm厚度的ZnS层、236～256nm厚度的Ge层、403～423nm厚度的ZnS层、137～157nm厚度的Ge层、474～494nm厚度的ZnS层、227～247nm厚度的Ge层、458～478nm厚度的ZnS层、237～257nm厚度的Ge层、341～361nm厚度的ZnS层、163～183nm厚度的Ge层、523～543nm厚度的ZnS层、224～244nm厚度的Ge层、564～584nm厚度的ZnS层、364～384nm厚度的Ge层、447～467nm厚度的ZnS层、309～329nm厚度的Ge层、783～803nm厚度的ZnS层、182～202nm厚度的Ge层、671～691nm厚度的ZnS层、432～452nm厚度的Ge层、237～257nm厚度的ZnS层、421～441nm厚度的Ge层、1178～1198nm厚度的ZnS层；

所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有335～355nm厚度的Ge层、224～244nm厚度的ZnS层、246～266nm厚度的Ge层、143～163nm厚度的ZnS层、72～92nm厚度的Ge层、230～250nm厚度的ZnS层、120～140nm厚度的Ge层、234～254nm厚度的ZnS层、125～145nm厚度的Ge层、117～137nm厚度的ZnS层、100～120nm厚度的Ge层、232～252nm厚度的ZnS层、140～160nm厚度的Ge层、228～248nm厚度的ZnS层、151～171nm厚度的Ge层、262～282nm厚度的ZnS层、126～146nm厚度的Ge层、428～448nm厚度的ZnS层、140～160nm厚度的Ge层、281～301nm厚度的ZnS层、165～185nm厚度的Ge层、295～315nm厚度的ZnS层、495～515nm厚度的Ge层、196～216nm厚度的ZnS层、361～381nm厚度的Ge层、1164～1184nm厚度的ZnS层。

2.根据权利要求1所述的6750nm长波通红外滤光敏感元件，其特征在于：

所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有332nm厚度的Ge层、283nm厚度的ZnS层、246nm厚度的Ge层、413nm厚度的ZnS层、147nm厚度的Ge层、484nm厚度的ZnS层、237nm厚度的Ge层、468nm厚度的ZnS层、247nm厚度的Ge层、351nm厚度的ZnS层、173nm厚度的Ge层、533nm厚度的ZnS层、234nm厚度的Ge层、574nm厚度的ZnS层、374nm厚度的Ge层、457nm厚度的ZnS层、319nm厚度的Ge层、793nm厚度的ZnS层、192nm厚度的Ge层、681nm厚度的ZnS层、442nm厚度的Ge层、247nm厚度的ZnS层、431nm厚度的Ge层、1188nm厚度的ZnS层；

所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有345nm厚度的Ge层、234nm厚度的ZnS层、256nm厚度的Ge层、153nm厚度的ZnS层、82nm厚度的Ge层、240nm厚度的ZnS层、130nm厚度的Ge层、244nm厚度的ZnS层、135nm厚度的Ge层、127nm厚度的ZnS层、110nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、150nm厚度的Ge层、238nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、272nm厚度的ZnS层、136nm厚度的Ge层、438nm厚度的ZnS层、150nm厚度的Ge层、291nm厚度的ZnS层、175nm厚度的Ge层、305nm厚度的ZnS层、505nm厚度的Ge层、206nm厚度的ZnS层、371nm厚度的Ge层、1174nm厚度的ZnS层。