[发明专利]磁存储器件在审
申请号: | 201910850336.X | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN111192955A | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 金基雄;金柱显;吴世忠;皮雄焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;G11C11/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨姗 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁存储器 | ||
1.一种磁存储器件,包括:
第一导线,在基板上沿第一方向延伸;
第一磁图案,在所述第一导线上,所述第一磁图案包括具有不同厚度的第一部分和第二部分;以及
第二导电线,在所述第一磁图案上,并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
2.根据权利要求1所述的磁存储器件,其中:
所述第一磁图案具有第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述第一方向上彼此相对,
所述第一部分与所述第一侧壁相邻,并且
所述第二部分与所述第二侧壁相邻。
3.根据权利要求2所述的磁存储器件,其中,所述第一磁图案的底表面是倾斜的。
4.根据权利要求2所述的磁存储器件,其中,所述第一导线具有从所述第一导线的顶表面凹进的凹陷部分,所述第一磁图案的所述第一部分位于所述凹陷部分中,并且所述第一磁图案的所述第二部分位于所述第一导线的所述顶表面上。
5.根据权利要求1所述的磁存储器件,其中:
所述第一磁图案还包括第三部分,
所述第一磁图案具有第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述第一方向上彼此相对,
所述第一磁图案的所述第一部分与所述第一侧壁相邻,
所述第一磁图案的所述第三部分与所述第二侧壁相邻,
所述第一磁图案的所述第二部分在所述第一磁图案的所述第一部分和所述第三部分之间,
所述第一磁图案的所述第一部分的厚度等于所述第一磁图案的所述第三部分的厚度,并且
所述第一磁图案的所述第二部分的厚度大于所述第一磁图案的所述第一部分和所述第三部分的厚度。
6.根据权利要求5所述的磁存储器件,其中,所述第一磁图案的下部是渐缩的。
7.根据权利要求1所述的磁存储器件,其中,所述第一导线具有从所述第一导线的顶表面凹进的凹陷部分,所述第一磁图案的所述第二部分在所述凹陷部分中,并且所述凹陷部分的宽度小于所述第一磁图案的宽度。
8.根据权利要求1所述的磁存储器件,其中,所述第一磁图案具有第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述第二方向上彼此相对,所述第一磁图案的所述第一部分与所述第一侧壁相邻,并且所述第一磁图案的所述第二部分与所述第二侧壁相邻。
9.根据权利要求8所述的磁存储器件,其中,所述第一磁图案暴露所述第一导线的顶表面的一部分。
10.根据权利要求8所述的磁存储器件,还包括:层间绝缘层,在所述基板上位于所述第一导线的一侧,所述第一磁图案的所述第一部分与所述第一导线竖直重叠,以及所述第一磁图案的所述第二部分与所述层间绝缘层竖直重叠。
11.根据权利要求10所述的磁存储器件,其中,所述第一磁图案的所述第一部分在所述第二方向上的宽度大于所述第一磁图案的所述第二部分在所述第二方向上的宽度。
12.根据权利要求10所述的磁存储器件,其中,所述第一导线的顶表面是倾斜的。
13.根据权利要求1所述的磁存储器件,其中,从截面图的角度,所述第一磁图案是T形、倒L形或梯形。
14.根据权利要求1所述的磁存储器件,还包括:
隧道势垒图案,在所述第一磁图案与所述第二导线之间;
第二磁图案,在所述隧道势垒图案与所述第二导线之间;以及
金属图案,在所述第二磁图案与所述第二导线之间。
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