[发明专利]磁存储器件

说明书

一种磁存储器件包括：第一导线，在基板上沿第一方向延伸；第一磁图案，在所述第一导线上，所述第一磁图案包括具有不同厚度的第一部分和第二部分；以及第二导电线，在第一磁图案上，并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。

相关申请的交叉引用

2018年11月14日在韩国知识产权局递交的题为“磁存储器件”的韩国专利申请10-2018-0139731的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

实施例涉及一种半导体器件，更具体地，涉及包括磁隧道结的磁存储器件。

背景技术

由于对高速和/或低功耗的电子器件的需求，还需求其中使用的高速和/或低电压半导体存储器件。作为能够满足这些需求的半导体存储器件，已经开发了磁存储器件。磁存储器件可以作为下一代半导体存储器件，这是因为它们具有高速和/或非易失性特性。

通常，磁存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)。磁隧道结可以包括两个磁性层和设置在两个磁性层之间的绝缘层。可以根据两个磁性层的磁化方向来改变磁隧道结的电阻值。例如，当两个磁性层的磁化方向彼此反向平行时，磁隧道结可以具有相对较高的电阻值。当两个磁性层的磁化方向彼此平行时，磁隧道结可以具有相对较低的电阻值。磁存储器件可以使用磁隧道结的电阻值之差来读/写数据。随着电子工业的发展，对高度集成和/或低功率的磁存储器件的需求越来越高。因此，正在进行各种研究以满足这些需求。

发明内容

在一个方面，一种磁存储器件可以包括：第一导线，在基板上沿第一方向延伸；第一导线上的第一磁图案；以及第二导电线，设置在第一磁图案上，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸。第一磁图案可以包括具有不同厚度的第一部分和第二部分。

在一个方面，一种磁存储器件可以包括：在基板上沿第一方向延伸的第一导线，第一导线具有从第一导线的顶表面凹进的凹陷部分；磁图案，设置在第一导线上，并且填充凹陷部分；以及第二导线，在磁图案上，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸。

在一个方面，一种磁存储器件可以包括：第一导线，在基板上沿第一方向延伸；第一导线上的第一磁图案；以及第二导电线，设置在第一磁图案上，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸。当在平面图中观察时，第一磁图案的中心可以在第二方向上偏离第一导线的与第二导线竖直重叠的第一部分的中心。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得清楚，在附图中：

图1示出了根据一些实施例的磁存储器件的平面图。

图2A示出了沿图1的线I-I′的截面图。

图2B示出了第一磁图案和第一导线的放大图。

图2C示出了第一导线和磁隧道结图案的放大图。

图3示出了沿图1的线II-II′的截面图。

图4示出了根据一些实施例的沿图1的线I-I′截取的用来示出磁存储器件的截面图。

图5示出了根据一些实施例的沿图1的线I-I′截取的用来示出磁存储器件的截面图。

图6示出了根据其他实施例的沿图1的线I-I′截取的用来示出磁存储器件的截面图。

图7示出了根据其他实施例的沿图1的线I-I′截取的用来示出磁存储器件的截面图。

图8示出了根据一些实施例的磁存储器件的平面图。

图9示出了沿图8的线III-III′的截面图。

图10示出了根据其他实施例的沿图8的线III-III′截取的用来示出磁存储器件的截面图。