[发明专利]功率半导体器件及驱动装置在审
| 申请号： | 201910851130.9 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112563252A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘春江;石彩云;杨胜松 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/16;H01L25/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 驱动 装置 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
基板；
至少一个功率芯片，所述至少一个功率芯片设置在所述基板上，所述至少一个功率芯片具有控制端；
分别与所述至少一个功率芯片一一对应的至少一个驱动电阻，所述至少一个驱动电阻集成在所述基板上，所述驱动电阻的一端对应的与所述功率芯片的控制端相连；
分别与所述至少一个驱动电阻一一对应的至少一个信号接收端，所述信号接收端与对应的所述驱动电阻的另一端相连，以在接收到信号时，通过所述驱动电阻驱动所述功率芯片的导通和关断。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率芯片的控制端通过引线与对应的所述驱动电阻的一端相连，所述驱动电阻的另一端通过布置在所述基板上的引线与所述信号接收端相连。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述基板为陶瓷覆铜板或者陶瓷覆铝板。
4.根据权利要求1-3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率芯片为IGBT芯片或者MOSFET芯片，所述IGBT芯片或者MOSFET芯片的门极作为所述控制端。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述信号接收端为设置在所述基板上的门极取样针。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率芯片为多个，多个所述功率芯片并联设置在所述基板上。
7.一种驱动装置，其特征在于，包括：
根据权利要求1-5任一项所述的功率半导体器件；
驱动板，所述驱动板具有信号输出端，所述信号输出端与所述功率半导体器件的信号接收端相连。
8.根据权利要求7所述的驱动装置，其特征在于，所述信号输出端为门极取样焊接孔。
9.一种车辆，其特征在于，包括：根据权利要求7或8所述的驱动装置。
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