[发明专利]半导体存储器模块和半导体存储器模块板在审

专利信息
申请号: 201910851842.0 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN110890351A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 李时炯;高昌宇;金善植;文智润;安珍吾 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;G11C5/02;G11C5/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器模块,包括:

印刷电路板;以及

设置在印刷电路板上的半导体存储器封装件,

其中,印刷电路板包括:

连接器,其设置在印刷电路板的侧部区,并且被构造为连接至外部装置;

信号线,其被构造为将连接器与半导体存储器封装件彼此连接;

第一耦合元件,其被构造为在信号线中的彼此最靠近的第一信号线之间提供第一电容耦合;

第二耦合元件,其被构造为在信号线中的布置为邻近于彼此并且有一条信号线介于其间的第二信号线之间提供第二电容耦合;以及

第三耦合元件,其被构造为在信号线中的布置为邻近于彼此并且有两条信号线介于其间的第三信号线之间提供第三电容耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,在连接器与半导体存储器封装件之间,信号线、第一耦合元件、第二耦合元件和第三耦合元件仅由无源元件构成。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,半导体存储器封装件包括数据缓冲器封装件、存储器封装件和寄存器时钟驱动器封装件中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,印刷电路板通过两层或更多层来实施,

第一耦合元件包括:

第一图案,其在所述两层或更多层中的第一层中,连接至第一信号线中的第一线,并且在与第一信号线中的第一线交叉的方向上从第一信号线中的第一线延伸;以及

第二图案,其在所述两层或更多层中的第二层中,连接至第一信号线中的第二线,并且在与第一信号线中的第二线交叉的方向上从第一信号线中的第二线延伸,并且

其中,第一图案和第二图案在垂直于所述两层或更多层的方向上彼此部分重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,印刷电路板通过两层或更多层来实施,

第二耦合元件包括:

第一图案,其在所述两层或更多层中的第一层中,连接至第二信号线中的第一线,并且在与第二信号线中的第一线交叉的方向上从第二信号线中的第一线延伸;以及

第二图案,其在所述两层或更多层中的第二层中,连接至第二信号线中的第二线,并且在与第二信号线中的第二线交叉的方向上从第二信号线中的第二线延伸,

其中,第一图案和第二图案在垂直于所述两层或更多层的方向上彼此部分重叠,并且

其中,介于第二信号线之间的所述一条信号线不设置在第一层和第二层中的分别形成有第一图案和第二图案的区中。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,印刷电路板通过两层或更多层来实施,

第三耦合元件包括:

第一图案,其在所述两层或更多层中的第一层中,连接至第三信号线中的第一线,并且在与第三信号线中的第一线交叉的方向上从第三信号线中的第一线延伸;以及

第二图案,其在所述两层或更多层中的第二层中,连接至第三信号线中的第二线,并且在与第三信号线中的第二线交叉的方向上从第三信号线中的第二线延伸,

其中,第一图案和第二图案在垂直于所述两层或更多层的方向上彼此部分重叠,并且

其中,介于第三信号线之间的所述两条信号线不设置在第一层和第二层中的分别形成有第一图案和第二图案的区中。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,印刷电路板通过两层或更多层来实施,

其中,在所述两层或更多层中的至少一层中,第一信号线在信号线中布置为彼此最靠近,

其中,在所述两层或更多层中的所述至少一层中,第二信号线彼此间隔开并且有所述一条信号线介于其间,并且

其中,在所述两层或更多层中的所述至少一层中,第三信号线彼此间隔开并且有所述两条信号线介于其间。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器模块,其中,所述至少一层包括设置有全部信号线的一层。

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