[发明专利]用于处理基板的装置有效
申请号: | 201910852522.7 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110896043B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 崔基勋;许瓒宁;金度宪;崔海圆;李在晟;A·科里阿金;郑址洙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;G03F7/30 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;王丽 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
显影室,所述显影室被配置成通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺;
超临界室,所述超临界室被配置成通过供应超临界流体来处理所述基板;
涂覆室,所述涂覆室被配置成通过供应涂覆溶液在所述基板上形成涂膜;和
传送室,所传送室具有传送单元,所述传送单元被配置成在所述显影室、所述涂覆室与所述超临界室之间传送所述基板,
其中,所述涂覆室和所述显影室竖直地彼此上下堆叠,并且
其中,所述超临界室沿竖直方向的尺寸大于所述涂覆室或所述显影室沿所述竖直方向的尺寸且等于或小于所述涂覆室和所述显影室沿所述竖直方向的尺寸之和。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括控制器,所述控制器被配置成控制所述传送单元,并且
其中,所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述显影室包括被配置成供应所述显影溶液的显影喷嘴和被配置成供应清洁溶液的清洁喷嘴,
其中,所述装置还包括控制器,所述控制器被配置成控制所述传送单元,并且
其中,所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
4.根据权利要求2或3所述的装置,其中,所述装置还包括热处理室,所述热处理室被配置成对所述基板执行热处理工艺。
5.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
转位模块,所述转位模块包括载体,所述载体用于在其中容纳所述基板;
处理模块,所述处理模块被配置成对所述基板执行工艺;和
接口模块,所述接口模块被配置成将所述处理模块与外部步进机连接,
其中,所述转位模块、所述处理模块和所述接口模块按顺序布置成行,
其中,所述处理模块包括处理块,所述处理块被配置成对所述基板执行所述工艺,并且
其中,所述处理块包括:
显影室,所述显影室被配置成通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺;
涂覆室,所述涂覆室被配置成通过供应涂覆溶液在所述基板上形成涂膜;
热处理室,所述热处理室被配置成对所述基板执行热处理工艺;
超临界室,所述超临界室被配置成通过供应超临界流体来处理所述基板;和
传送室,所述传送室具有传送单元,所述传送单元被配置成在所述显影室、所述涂覆室、所述热处理室与所述超临界室之间传送所述基板,
其中,所述涂覆室和所述显影室竖直地彼此上下堆叠,并且
其中,所述超临界室沿竖直方向的尺寸大于所述涂覆室或所述显影室沿所述竖直方向的尺寸且等于或小于所述涂覆室和所述显影室沿所述竖直方向的尺寸之和。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述装置还包括控制器,所述控制器被配置成控制所述传送单元,并且
其中,所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
7.根据权利要求5所述的装置,其中,所述显影室包括被配置成供应所述显影溶液的显影喷嘴和被配置成供应清洁溶液的清洁喷嘴,
其中,所述装置还包括控制器,所述控制器被配置成控制所述传送单元,并且
其中,所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
8.根据权利要求5所述的装置,其中,所述涂覆室和所述显影室置于所述传送室的一侧,并且
其中,所述热处理室置于所述传送室的相反侧。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述超临界室置于所述传送室的所述一侧和所述相反侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造