[发明专利]用于处理基板的装置有效
申请号: | 201910852522.7 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110896043B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 崔基勋;许瓒宁;金度宪;崔海圆;李在晟;A·科里阿金;郑址洙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;G03F7/30 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;王丽 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 | ||
一种用于处理基板的装置包括:显影室,其通过供应显影溶液对基板执行显影工艺;超临界室,其通过供应超临界流体来处理基板;和传送室,其具有传送单元,该传送单元在显影室与超临界室之间传送基板W。
技术领域
本文中所描述的本发明构思的实施方式涉及一种基板处理装置,且更具体地,涉及一种用于执行显影工艺和超临界工艺的基板处理装置。
背景技术
执行诸如沉积、光刻、蚀刻、清洁等各种工艺来制造半导体器件。在这些工艺之中,光刻工艺包括涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。涂覆工艺为用光敏材料(诸如光刻胶)涂覆基板的工艺。曝光工艺为通过光掩膜使涂覆的光刻胶膜暴露于光源的光以在基板上形成电路图案的工艺。显影工艺为使基板的曝光区域选择性地显影的工艺。
通常,显影工艺包括显影溶液供应步骤、冲洗溶液供应步骤和干燥步骤。在干燥步骤中,执行使支撑基板的自旋卡盘旋转且通过使用由该自旋卡盘施加在基板上的离心力而干燥基板上残留的显影溶液或冲洗溶液的自旋干燥法。
随着在基板上形成的图案的临界尺寸(CD)的减小,在相关领域中的自旋干燥法导致图案塌陷或弯曲的倾斜现象。该问题被指出作为执行光刻工艺的现有设备的限制。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种用于有效地执行显影工艺的装置。
本发明构思的实施方式提供一种用于防止基板在从显影室传送到超临界室时被干燥的装置。
本发明构思的实施方式提供一种用于防止图案塌陷或弯曲的倾斜现象的装置。
本发明构思的实施方式提供一种用于有效地执行涂覆工艺、显影工艺和超临界工艺的基板处理装置的平台。
本发明构思的实施方式提供一种用于使传送基板所花费的单件工时最小化的装置。
由本发明构思解决的技术问题不限于前述问题,并且本发明构思所属的领域中的技术人员将从如下描述清楚地理解本文中未提及的其它技术问题。
根据示例性实施方式,一种用于处理基板的装置包括:显影室,所述显影室通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺;超临界室,所述超临界室通过供应超临界流体来处理所述基板;和传送室,所述传送室具有传送单元,所述传送单元在所述显影室与所述超临界室之间传送所述基板。
根据一实施方式,所述装置还可以包括控制器,所述控制器控制所述传送单元,并且所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式,所述显影室可以包括供应所述显影溶液的显影喷嘴和供应清洁溶液的清洁喷嘴,并且所述装置还可以包括控制器,其控制所述传送单元。所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式,所述装置还可以包括热处理室,所述热处理室对所述基板执行热处理工艺。
根据示例性实施方式,一种用于处理基板的装置包括:转位模块,所述转位模块包括载体,所述载体用于在其中容纳所述基板;处理模块,所述处理模块对所述基板执行工艺;和接口模块,所述接口模块将所述处理模块与外部步进机连接。所述转位模块、所述处理模块和所述接口模块按顺序布置成行。所述处理模块包括处理块,所述处理块对所述基板执行所述工艺。所述处理块包括:显影室,所述显影室通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺;涂覆室,所述涂覆室通过供应涂覆溶液在所述基板上形成涂膜;热处理室,所述热处理室对所述基板执行热处理工艺;超临界室,所述超临界室通过供应超临界流体来处理所述基板;和传送室,所述传送室具有传送单元,所述传送单元在所述显影室、所述涂覆室、所述热处理室与所述超临界室之间传送所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造