[发明专利]一种水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种水平结构沟槽肖特基半导体装置，包括衬底层（1）和电荷补偿结构（6），其特征在于：所述衬底层（1）下侧为下表面金属层（8），下表面金属层（8）位于底层，衬底层（1）位于下表面金属层（8）上方，所述衬底层（1）为半导体材料构成，所述衬底层（1）相邻的位置设置有电荷补偿结构（6），所述电荷补偿结构（6）设置在衬底层（1）上方的位置，所述电荷补偿结构（6）包括第一导电半导体材料（3）和第二导电半导体材料（4），所述电荷补偿结构（6）为若干组第一导电半导体材料（3）和第二导电半导体材料（4）间隔依次排列的结构，二氧化硅（2）位于第二导电半导体材料（4）的上表面，二氧化硅（2）位于衬底层（1）上侧的两组第三导电半导体（9）之间。

2.根据权利要求1所述的一种水平结构沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：所述衬底层（1）为杂质含量较高的半导体材料制成的混合型半导体材料，衬底层（1）采用的材料包括蓝宝石、氮化铝、碳化硅、氮化镓、玻璃、金属、氧化物。

3.根据权利要求1所述的一种水平结构沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：所述电荷补偿结构（6）的具体结构为现有的超结结构中的漂移层底部增加额外的第二导电半导体材料（4）和肖特基势垒结（5），顶部增加额外的第三导电半导体（9）。

4.根据权利要求1所述的一种水平结构沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：所述肖特基势垒结（5）为第一导电半导体材料（3）和上表面金属层（7）交界处形成的结。

5.根据权利要求1所述的一种水平结构沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：所述第一导电半导体材料（3）和第二导电半导体材料（4）构成的结构在受到外接的反向偏压时第一导电半导体材料（3）和第二导电半导体材料（4）将构成电荷补偿。

6.根据权利要求1所述的一种水平结构沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：所述二氧化硅（2）完全覆盖第二导电半导体材料（4）的上表面将第二导电半导体材料（4）与上表面金属层（7）绝缘处理。

7.一种权利要求1所述的一种水平结构沟槽肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤:

S1，在衬底层（1）的表面形成第一导电半导体材料（3）和其上方的二氧化硅（2）；

S2，激光蚀刻消除S1衬底层（1）上的部分二氧化硅（2）和一部分半导体材料构成槽；

S3，在S2衬底层（1）上的沟槽内形成第二导电半导体材料（4）并将其上方平整；

S4，在S3第一导电半导体材料（3）和第二导电半导体材料（4）表面形成二氧化硅（2），再通过激光蚀刻消除部分二氧化硅（2）；

S5，在S1第一导电半导体材料（3）上表面两端形成第三导电半导体（9）；

S6，淀加势垒金属烧结构在S5第一导电半导体材料（3）、第三导电半导体（9）和上表面金属层（7）之间生成肖特基势垒结（5）。