[发明专利]栅极驱动结构、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种栅极驱动结构，其特征在于，包括：

衬底基板；

移位寄存器，形成在所述衬底基板上，所述移位寄存器包括多个薄膜晶体管及至少一个电容器，所述电容器与所述薄膜晶体管连接；

信号走线组，形成在所述衬底基板上，所述信号走线组包括多根间隔排布的信号走线，所述信号走线与所述薄膜晶体管连接；

其中，所述电容器在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线组在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动结构，其特征在于，

所述衬底基板具有第一区域和第二区域，所述第二区域设置在所述第一区域靠近显示区的一侧；

多根所述信号走线包括多根第一信号走线和多根第二信号走线，多根所述第一信号走线间隔形成在所述第一区域，多根所述第二信号走线间隔形成在所述第二区域；

所述电容器形成在所述第二区域，并位于所述第二信号走线朝向所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的栅极驱动结构，其特征在于，

所述衬底基板还具有第三区域，所述第三区域设置在所述第二区域靠近所述显示区的一侧，

其中，各所述薄膜晶体管形成在所述第三区域。

4.根据权利要求2所述的栅极驱动结构，其特征在于，

所述衬底基板还具有第三区域，所述第三区域设置在所述第一区域和所述第二区域之间，

其中，各所述薄膜晶体管形成在所述第三区域。

5.根据权利要求2所述的栅极驱动结构，其特征在于，

所述第一信号走线为时钟信号走线，所述第二信号走线为直流信号走线。

6.根据权利要求1所述的栅极驱动结构，其特征在于，所述信号走线与所述移位寄存器中薄膜晶体管的源漏极层同层设置并相连。

7.根据权利要求1所述的栅极驱动结构，其特征在于，所述电容器包括依次形成在所述衬底基板上的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层，

所述第一电极层与所述移位寄存器中薄膜晶体管的栅极层同层设置并相连，所述第二电极层能够与所述显示区中子像素单元的栅极层同层设置并相连。

8.根据权利要求7所述的栅极驱动结构，其特征在于，所述移位寄存器还包括与所述第二电极层同层设置的输出线，所述输出线的一端与所述第二电极层连接，另一端向所述显示区所在的位置延伸并与所述子像素单元的栅极层连接。

9.一种阵列基板，其具有显示区和非显示区，其特征在于，所述阵列基板包括显示结构及权利要求1至8中任一项所述的栅极驱动结构，所述显示结构位于所述显示区，所述栅极驱动结构位于所述非显示区并与所述显示结构连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求9所述的阵列基板。