[发明专利]栅极驱动结构、阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201910853971.3 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110518022A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 冯雪欢;徐攀 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09G3/20 |
代理公司: | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底基板 信号走线 电容器 薄膜晶体管 移位寄存器 栅极驱动 正投影 窄边框设计 间隔排布 显示装置 阵列基板 申请 | ||
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种栅极驱动结构、阵列基板及显示装置。该栅极驱动结构可包括:衬底基板;移位寄存器,形成在所述衬底基板上,所述移位寄存器包括多个薄膜晶体管及至少一个电容器,所述电容器与所述薄膜晶体管连接;信号走线组,形成在所述衬底基板上,所述信号走线组包括多根间隔排布的信号走线,所述信号走线与所述薄膜晶体管连接;其中,所述电容器在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线组在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。该方案利于实现窄边框设计。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种栅极驱动结构、阵列基板及显示装置。
背景技术
在显示领域中,栅极驱动结构是减少显示不良和降低成本的有效手段。其中,栅极驱动结构中每级移位寄存器均包括至少一个电容器,但由于此电容器需要占用很大的面积,因此,不利于窄边框的设计。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种栅极驱动结构、阵列基板及显示装置,利于实现窄边框设计。
本申请第一方面提供了一种栅极驱动结构,其包括:
衬底基板;
移位寄存器,形成在所述衬底基板上,所述移位寄存器包括多个薄膜晶体管及至少一个电容器,所述电容器与所述薄膜晶体管连接;
信号走线组,形成在所述衬底基板上,所述信号走线组包括多根间隔排布的信号走线,所述信号走线与所述薄膜晶体管连接;
其中,所述电容器在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线组在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
在本申请的一种示例性实施例中,所述衬底基板具有第一区域和第二区域,所述第二区域设置在所述第一区域靠近显示区的一侧;
多根所述信号走线包括多根第一信号走线和多根第二信号走线,多根所述第一信号走线间隔形成在所述第一区域,多根所述第二信号走线间隔形成在所述第二区域;
所述电容器形成在所述第二区域,并位于所述第二信号走线朝向所述衬底基板的一侧。
在本申请的一种示例性实施例中,所述衬底基板还具有第三区域,所述第三区域设置在所述第二区域靠近所述显示区的一侧,
其中,各所述薄膜晶体管形成在所述第三区域。
在本申请的一种示例性实施例中,所述衬底基板还具有第三区域,所述第三区域设置在所述第一区域和所述第二区域之间,
其中,各所述薄膜晶体管形成在所述第三区域。
在本申请的一种示例性实施例中,所述第一信号走线为时钟信号走线,所述第二信号走线为直流信号走线。
在本申请的一种示例性实施例中,所述信号走线与所述移位寄存器中薄膜晶体管的源漏极层同层设置并相连。
在本申请的一种示例性实施例中,所述电容器包括依次形成在所述衬底基板上的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层,
所述第一电极层与所述移位寄存器中薄膜晶体管的栅极层同层设置并相连,所述第二电极层能够与所述显示区中子像素单元的栅极层同层设置并相连。
在本申请的一种示例性实施例中,所述移位寄存器还包括与所述第二电极层同层设置的输出线,所述输出线的一端与所述第二电极层连接,另一端向所述显示区所在的位置延伸并与所述子像素单元的栅极层连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910853971.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示基板及其制备方法和显示面板
- 下一篇:阵列基板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的