[发明专利]一种双电流偏置的CMOS伪电阻在审
| 申请号： | 201910854145.0 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110752834A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 刘帘曦;陈明仑;华天源;张怡;朱樟明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H11/46 | 分类号： | H03H11/46 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源极 伪电阻 衬底 漏极 缓冲器 电流偏置 栅极连接 反相输入端 输出端连接 同相输入端 泄露电流 源极连接 第一端 鲁棒性 | ||
1.一种双电流偏置的CMOS伪电阻，其特征在于，包括第一PMOS管(MP11)、第二PMOS管(MP12)、第一NMOS管(MN11)、第二NMOS管(MN12)和缓冲器(Buffer)，其中，
所述第一PMOS管(MP11)的漏极连接其栅极，衬底连接其源极，栅极连接所述第二PMOS管(MP12)的栅极，源极连接所述第一NMOS管(MN11)的源极；
所述第二PMOS管(MP12)的衬底连接其源极，漏极连接所述第二NMOS管(MN12)的源极，源极作为所述CMOS伪电阻的第一端；
所述第一NMOS管(MN11)的漏极连接其栅极，衬底连接其源极，栅极连接所述第二NMOS管(MN12)的栅极；
所述第二NMOS管(MN12)的衬底连接其源极，漏极作为所述CMOS伪电阻的第二端；
所述缓冲器(Buffer)的同相输入端连接所述第二PMOS管(MP12)的源极，反相输入端连接所述第一PMOS管(MP11)的源极，输出端连接所述第一NMOS管(MN11)的源极。
2.根据权利要求1所述的双电流偏置的CMOS伪电阻，其特征在于，所述第一PMOS管(MP11)的漏电流IP与所述第一NMOS管(MN11)的漏电流IN均为可调的偏置电流，以使得所述第一PMOS管(MP11)的漏电流IP与所述第一NMOS管(MN11)的漏电流IN相等且正比于绝对温度。
3.一种双电流偏置的CMOS伪电阻电路，其特征在于，包括电流源单元和若干串联的如权利要求1-2中任一项所述的双电流偏置的CMOS伪电阻，其中，
所述电流源单元耦接到串联的若干所述双电流偏置的CMOS伪电阻的第一PMOS管(MP11)的漏极和第一NMOS管(MN11)的漏极，用于提供正比于绝对温度的偏置电流；
相邻的串联的所述的双电流偏置的CMOS伪电阻共用一个缓冲器(Buffer)。
4.一种双电流偏置的CMOS伪电阻电路，其特征在于，包括电流源单元和若干并联的如权利要求1-2中任一项所述的双电流偏置的CMOS伪电阻，其中，所述电流源单元耦接到并联的若干所述双电流偏置的CMOS伪电阻的第一PMOS管(MP11)的漏极和第一NMOS管(MN11)的漏极，用于提供正比于绝对温度的偏置电流。
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