[发明专利]一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺在审
申请号: | 201910854338.6 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110739225A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 吴灏;马兴光;刘明箭;陈凯;朱晓斌 | 申请(专利权)人: | 黄石市星光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;G06K19/02 |
代理公司: | 11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陆滢炎 |
地址: | 435003 湖北省黄石*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冲孔 联通 蚀刻 焊盘位置 双面曝光 电镀 合金线 双界面 线位置 线转移 烘烤 沉铜 出货 导通 电金 分切 覆铜 焊盘 黑孔 金线 金盐 孔壁 孔位 拉近 压膜 载带 生产工艺 焊接 客户 | ||
本发明公开了一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺,包括以下步骤:取消导线、冲孔、覆铜、烘烤蚀刻、孔壁联通、增加焊盘、压膜、双面曝光、DES、电镀、分切、成检以及出货;该工艺通过增加6个孔位,采用冲孔的方式,再采用黑孔或水平沉铜的方式将上下两面联通,焊接面的导线就可以完全取消不用,节省电金金盐的成本;邦线位置可以由原来的孔内邦线转移到焊盘位置邦线,在客户自己邦线的距离可以拉近,使用金线或合金线的距离要短,成本得到下降。
技术领域
本发明涉及IC智能卡载带技术领域,具体为一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺。
背景技术
现有生产IC智能卡载带的双界面,以非导通型工艺为主,现有市面还没有任何一家生产导通型双界面产品,生产制造导通型产品在生产工艺、流程、参数都与非导通型有不一样的流程和工艺参数;为此,我们提出一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺。
发明内容
本发明的目的在于提供一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺,包括以下步骤:
S1:取消导线:原有载带的接触面和焊接面都有上下两条0.8mm宽度的导线,将原有焊接面上的导线取消;
S2:冲孔:采用冲孔的方式在模具上增加6个孔位,通过孔壁联通的方式进行导电电镀,而增加的6个孔位在终端客户会对在导线连接孔位置进行打孔,可以利用冲孔后将接触面和焊接面完全分离,形成单独的导体位置,而不影响后续的使用;
S3:覆铜:采用国内普通铜箔覆盖在载带表面;
S4:烘烤蚀刻:对覆盖的铜箔进行烘烤,烘烤至完全固化状态。烘干完成后将再进行图像双面同时转移的方式进行生产。蚀刻工艺是将线路显影露铜位置腐蚀掉,有干膜位置保留线路的方式进行生产。
S5:孔壁联通:采用黑孔或水平沉铜工艺的方式将上下两面联通;
S6:增加焊盘:利用孔连接导线位置,在原有焊接面增加焊盘并牵引焊盘出来,缩短邦线的长度,邦线位置直接可以打在牵引的焊盘位置;
S7:压膜:使用卷对卷压膜机对载带两面的铜面进行压膜;
S8:双面曝光:要求制作特定的曝光底片贴在曝光玻璃双面上,在紫外光下进行曝光,设有遮光区域的干膜最终将被冲掉裸露出铜面,受紫外光照射的部分将硬化,并最终着附于板面;
S9:经过双面曝光的载带送入DES,然后通过中检、电镀、分切、成检以及出货的流程,得到成品。
优选的,所述S2中模具冲孔需要控制孔壁粗糙度在30μm以内。
优选的,所述S2中焊接面同时增加8个0.5-0.6mm直径的焊点作为备用。
优选的,所述S4的蚀刻液选用硫酸体系、酸性氯化铜、碱性氯化铵药水体系。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:该导通型双界面IC智能卡载带在工艺较非导通型要多一道流程,设计上面采用上下两面通过孔导通的原理来完成,具有以下优点:
1.通过增加6个孔位,采用冲孔的方式,再采用黑孔或水平沉铜的方式将上下两面联通,焊接面的导线就可以完全取消不用,节省电金金盐的成本;
2.将原有需要依赖进口铜箔的材料,使用国内普通铜箔替代,在直接成本上面可以下降15%;
3.邦线位置可以由原来的孔内邦线转移到焊盘位置邦线,在客户自己邦线的距离可以拉近,使用金线或合金线的距离要短,成本可以下降5-8%;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造