[发明专利]一种具有室温隧道磁电阻效应的氧化钛基纳米颗粒复合薄膜的制备方法及装置

权利要求书

1.一种具有室温隧道磁电阻效应的纳米颗粒复合薄膜的装置，其特征是在处于密闭真空腔室内，设置有固定基板、调节螺母、固定压片、溅射基片、自转样品台、金属挡板、陶瓷靶溅射枪和金属靶溅射枪；自转样品台处于真空腔体上部，与真空腔体内壁相连，固定基板通过金属挡板与自转样品台相连，固定基板上有调节螺母，固定压片通过调节螺母固定溅射基片；金属挡板呈对称放置，溅射基片位于两对称金属挡板之间；陶瓷靶溅射枪位于自转样品台侧下方，金属靶溅射枪位于自转样品台正下方；金属挡板高出溅射基片，以 达到旋转遮挡陶瓷颗粒的作用。

2.如权利要求1所述的装置，其特征是金属挡板与自转样品台采用高温结构胶固定。

3.如权利要求1所述的装置，其特征是陶瓷靶溅射枪位于自转样品台侧与中心线夹角为30°—60°。

4.利用权利要求1的装置进行具有室温隧道磁电阻效应的纳米颗粒复合薄膜的制备方法；其特征是包括如下步骤：

(1)腔室抽真空，保证背底压强优于5×10^-4Pa，调节腔体溅射压强0.4-3Pa，将功率为10-40W的金属靶和陶瓷靶进行预溅射180-300s，以清除靶材表面污染物；

(2)选择金属靶功率设为30-150W，陶瓷靶溅射功率为100-150W，开始溅射；

(3)调节金属挡板的旋转自转速率为3-15转每分钟；

(4)溅射时间为1200-3600s，关闭溅射源；

(5)取出溅射基片，用银凝胶将薄膜与银导线连接，进而形成测试电路。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于所选用磁控共溅射方法进行薄膜制备，其中金属选用溅射靶为强磁靶，溅射源为直流源；陶瓷选用溅射靶为永磁靶，溅射源为射频源。