[发明专利]一种电平转换电路

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，包括连接于电源电压的第一场效应管和第二场效应管，连接于第一输入端的第三场效应管、第一高压native管和第一低压场效应管，连接于第二输入端的第四场效应管、第二高压native管和第二低压场效应管，所述第四场效应管、所述第二高压native管和所述第二低压场效应管还通过反相器连接于电路输出端；所述第一场效应管连接于所述第三场效应管、所述第四场效应管和所述第二高压native管；所述第二场效应管连接于所述第三场效应管、所述第四场效应管和所述第一高压native管；所述第一高压native管通过所述第一低压场效应管接地，所述第二高压native管通过所述第二低压场效应管接地；

所述第一高压native管的漏极连接于所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的漏极，所述第一高压native管的栅极与所述第三场效应管和第一低压场效应管的栅极连接于第一输入端，所述第一高压native管的源极连接于所述第一低压场效应管的漏极，所述第一低压场效应管的源极接地；

所述第二高压native管的漏极连接于所述第一场效应管的栅极和所述第四场效应管的漏极，所述第二高压native管的源极连接于所述第二低压场效应管的漏极，所述第二低压场效应管的源极接地，所述第二高压native管的栅极与所述第四场效应管和所述第二低压场效应管的栅极连接于所述第二输入端。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管和所述第四场效应管为高压PMOS场效应管；所述第一高压native管和所述第二高压native管为高压NMOS管；所述第一低压场效应管和所述第二低压场效应管为低压NMOS管。

3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二高压native管的栅极、所述第四场效应管的栅极和所述第二低压场效应管的栅极通过所述反相器连接于所述电路输出端。

4.根据权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述反相器包括相互连接的第五场效应管和第六场效应管，所述第五场效应管为高压PMOS场效应管，所述第六场效应管为高压NMOS场效应管。

5.根据权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于，所述第五场效应管的源极连接于所述电源电压、漏极连接于所述电路输出端、栅极与所述第二高压native管的栅极、所述第四场效应管的栅极和所述第二低压场效应管的栅极连接；

所述第六场效应管的漏极连接于所述第五场效应管的漏极和所述电路输出端，所述第六场效应管的源极接地、栅极与所述第二高压native管的栅极、所述第四场效应管的栅极和所述第二低压场效应管的栅极连接。

6.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一输入端和所述第二输入端分别接收相反的低压时钟信号，所述低压时钟信号的电压为0.6V～1.2V。