[发明专利]一种电平转换电路

说明书

本发明公开了一种电平转换电路，涉及集成电路技术领域。该电平转换电路包括连接于电源电压的第一场效应管和第二场效应管，连接于第一输入端的第三场效应管、第一高压native管和第一低压场效应管，连接于第二输入端的第四场效应管、第二高压native管和第二低压场效应管，第四场效应管、第二高压native管和第二低压场效应管还通过反相器连接于电路输出端；第一场效应管连接于第三场效应管、第四场效应管和第二高压native管；第二场效应管连接于第三场效应管、第四场效应管和第一高压native管；第一高压native管通过第一低压场效应管接地，第二高压native管通过第二低压场效应管接地。本发明技术方案实现了电路的宽电源电压的转换。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种电平转换电路。

背景技术

电平转换电路在模拟电路中非常常见，往往用于不同电平之间的转换，以将低压信号抬高至高压电平。但随着低压器件的工作电压进一步降低，传统结构的低压转高压电平转换电路在宽电源范围中遇到瓶颈。例如图1传统结构，电路中的场效应管都是高压管。一般情况下，输入端V1和V2在接收低压1.2V的时钟输入时，可以在CLK_OUT端输出3.3V高压的时钟，电压都是典型值。而在另一些要求高的应用中，电压转换还可再超出百分之十，即该电路支持的电平转换最极限时候是1.08V转3.63V。

但随着应用需求不断提高，有些应用需要器件支持0.9V的低压、甚至比0.9V更低时，图1的电路结构中的NMOS管N1和N2会无法导通。若将图1的电路结构中的NMOS管换为低压管，则又会面临其耐压问题无法解决。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电平转换电路，旨在实现电平转换电路中宽电源电压的转换。

为实现上述目的，本发明提供一种电平转换电路，包括连接于电源电压的第一场效应管和第二场效应管，连接于第一输入端的第三场效应管、第一高压native管和第一低压场效应管，连接于第二输入端的第四场效应管、第二高压native管和第二低压场效应管，所述第四场效应管、所述第二高压native管和所述第二低压场效应管还通过反相器连接于电路输出端；所述第一场效应管连接于所述第三场效应管、所述第四场效应管和所述第二高压native管；所述第二场效应管连接于所述第三场效应管、所述第四场效应管和所述第一高压native管；所述第一高压native管通过所述第一低压场效应管接地，所述第二高压native管通过所述第二低压场效应管接地。

优选地，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管和所述第四场效应管为高压PMOS场效应管；所述第一高压native管和所述第二高压native管为高压NMOS管；所述第一低压场效应管和所述第二低压场效应管为低压NMOS管。

优选地，所述第一高压native管的漏极连接于所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的漏极，所述第一高压native管的栅极与所述第三场效应管和第一低压场效应管的栅极连接于第一输入端，所述第一高压native管的源极连接于所述第一低压场效应管的漏极，所述第一低压场效应管的源极接地；

所述第二高压native管的漏极连接于所述第一场效应管的栅极和所述第四场效应管的漏极，所述第二高压native管的源极连接于所述第二低压场效应管的漏极，所述第二低压场效应管的源极接地，所述第二高压native管的栅极与所述第四场效应管和所述第二低压场效应管的栅极连接于所述第二输入端。

优选地，所述第二高压native管的栅极、所述第四场效应管的栅极和所述第二低压场效应管的栅极通过所述反相器连接于所述电路输出端。

优选地，所述反相器包括相互连接的第五场效应管和第六场效应管，所述第五场效应管为高压PMOS场效应管，所述第六场效应管为高压NMOS场效应管。