[发明专利]薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种相对于基板的薄膜沉积方法，所述薄膜沉积方法包括：

通过经设置在所述基板下方的组件供应射频功率，在暴露于反应空间的所述基板的沟槽结构的暴露表面上形成电位；

通过使用所述电位，将所述反应空间中的带正电的活性物质移动到所述沟槽结构的暴露表面；

通过所述带正电的活性物质的移动，在所述沟槽结构的暴露表面上形成包括所述带正电的活性物质成分的薄膜；以及

在所述薄膜上进行各向同性蚀刻，使得在各向同性蚀刻后的剩余薄膜在厚度上恒定，

其中，在所述带正电的活性物质成分的移动期间，在所述反应空间中所述活性物质的迁移率降低，

其中，带正电的活性物质成分的降低的迁移率有利于将带正电的活性物质成分供给到所述沟槽结构，且

其中，由于带正电的活性物质成分向所述沟槽结构的供给，在各向同性蚀刻期间实现薄膜的均匀WER(湿法蚀刻率)。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，

其中所述基板的暴露表面包括上表面、下表面、以及连接所述上表面和所述下表面的侧表面，并且

其中所述活性物质至少朝向所述基板的暴露表面的侧表面移动。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，还包括通过增大所述射频功率的强度来增加所述薄膜的密度。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其中所述组件是加热器，并且射频电极插入到所述加热器中。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，

在形成所述电位期间，

其中所述基板设置在基板支撑单元上，

其中所述基板的与所述基板支撑单元接触的第一部分带正电，并且

其中所述基板的与所述第一部分相对的第二部分带负电。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积方法，其中所述基板的第二部分与所述活性物质之间生成吸引力。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，

其中所述活性物质由设置在所述基板上的气体供应单元所提供的材料生成，并且

其中在通过设置在所述基板下方的组件供应所述射频功率时，所述气体供应单元接地。

8.根据权利要求7所述的薄膜沉积方法，

其中，通过供应所述射频功率，在所述基板上生成第一等离子体自偏置电压，并同时在所述气体供应单元上生成第二等离子体自偏置电压，并且

其中所述第一等离子体自偏置电压大于所述第二等离子体自偏置电压。

9.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其中所述基板的暴露表面通过所述第一等离子体自偏置电压而带负电。

10.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，

其中通过供应所述射频功率来生成朝向所述基板的偏置，并且

其中通过所述偏置，所述活性物质以预定速度朝向所述基板移动。

11.根据权利要求10所述的薄膜沉积方法，还包括降低所述偏置的强度。

12.根据权利要求10所述的薄膜沉积方法，其中，通过调整所述偏置的强度，所述活性物质的速度有助于在所述基板上沉积。

13.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，还包括：

供应第一材料的第一操作；以及

供应与所述第一材料不同的第二材料的第二操作，

其中所述活性物质由所述第二材料构成，并且

其中通过所述第一材料与所述活性物质反应来形成所述薄膜。

14.根据权利要求13所述的薄膜沉积方法，还包括至少在所述第一操作和所述第二操作之间进行吹扫操作。