[发明专利]薄膜沉积方法

说明书

一种相对于包含图案结构的基板的薄膜沉积方法包括：通过经设置在基板下方的组件供应RF功率；在基板的暴露于反应空间的暴露表面上形成电位；使用所述电位，在反应空间中将活性物质移动到暴露表面；以及在基板的暴露表面上形成包含活性物质成分的薄膜。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月11日在韩国知识产权局所提交的韩国专利申请No.10-2018-0108523的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。

技术领域

一个或多个实施例涉及薄膜沉积方法，并且更特别地涉及使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在图案结构上沉积薄膜的方法。

相关技术的描述

等离子体增强原子层沉积(PEALD)具有沉积薄膜的优点，其可以在高温下被沉积在低温下的现有热原子层沉积。该优点可以通过以时间差顺序地引入反应气体或源气体、通过等离子体活化或离子化至少一种气体来实现。

在PEALD工艺中，RF功率典型地耦接到位于反应器的顶部处的上电极(例如喷头)，以在反应空间中生成等离子体。然而，当通过使用等离子体在基板上的图案结构(例如具有沟槽的图案结构)上沉积薄膜时，在直接暴露于等离子体的图案顶部上沉积的薄膜以及较少暴露于等离子体的沟槽壁和沟槽底部上所沉积的薄膜的特性是不均匀的。

发明内容

一个或多个实施例包含在具有沟槽或凹陷的图案结构上形成均匀薄膜的方法。

一个或多个实施例包含在图案结构的台阶的侧壁部分和底部部分上沉积均匀膜质量的薄膜并在随后湿法蚀刻工艺期间改善湿法蚀刻率(WER)的共形度的方法。

附加的方面还将部分地在如下的描述中提出，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过对提出的实施例的实践而习得。

根据一个或多个实施例，相对于基板的薄膜沉积方法包含：通过经设置在基板下方的组件供应RF功率，在基板的暴露于反应空间的暴露表面上形成电位；通过使用电位，将反应空间中的活性物质移动到基板的暴露表面；以及通过活性物质的移动，在基板的暴露表面上形成包含所述活性物质成分的薄膜。

薄膜沉积方法还可以包含在反应空间中增大活性物质的密度。

薄膜沉积方法还可以包含在反应空间中降低活性物质的迁移率。

基板的暴露表面可以包含上表面、下表面、以及连接上表面和下表面的侧表面，并且其中活性物质至少朝向基板的暴露表面的侧表面移动。

薄膜沉积方法还可以包含通过增加RF功率的强度来增加薄膜的密度。

组件可以是加热器，并且RF电极插入到加热器中。

在形成电位期间，基板可以设置在基板支撑单元上，基板的与基板支撑单元接触的第一部分可以带正电，并且基板的与第一部分相对的第二部分可以带负电。在这种情况下，在基板的第二部分和活性物质之间可以生成吸引力。

活性物质可以通过在基板上设置的气体供应单元所提供的材料来生成，并且在通过在基板下方设置的组件供应RF功率时气体供应单元可以接地。

通过供应RF功率，在基板上可以生成第一等离子体自偏置电压并同时在气体供应单元上可以生成第二等离子体自偏置电压，并且第一自偏置电压可以大于第二自偏置电压。

基板的暴露表面可以通过第一等离子体自偏置电压而带负电。

通过供应RF功率可以生成朝向基板的偏置，并且通过该偏置，活性物质可以按预定速度朝向基板移动。

薄膜沉积方法还可以包含降低偏置的强度。

通过调整偏置的强度，活性物质的速度可以有助于在基板上的沉积。