[发明专利]一种扩散电阻的版图结构

权利要求书

1.一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，所述版图结构包括：阱、位于所述阱内的扩散区和多叉指MOS晶体管，所述多叉指MOS晶体管包括：多个平行分布的条状栅极、多个源极和多个漏极，所述多个平行分布的条状栅极将所述扩散区隔成多个扩散区域，所述多个源极和所述多个漏极交替分布于所述多个扩散区域内；

所述多叉指MOS晶体管的相邻两个栅极中间的扩散区域构成一个电阻单元，所有电阻单元通过金属导线连接构成扩散电阻；

所述多叉指MOS晶体管的栅极连接高电位或低电位，用以使所述多叉指MOS晶体管工作在截止区，所述多叉指MOS晶体管的源极和漏极两端均设置有接触孔；

所述多叉指MOS晶体管两端的接触孔通过金属导线连接出来作为所述扩散电阻的两端，所述阱为所述扩散电阻的第三端且连接相应的高电位或低电位。

2.根据权利要求1所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，所述多个扩散区域中最左边和最右边的两个扩散区域用于作为所述扩散电阻的假电阻单元。

3.根据权利要求1所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，所述版图结构还包括：覆盖所述多叉指MOS晶体管的电阻识别层，所述电阻识别层的高度为所述扩散电阻的长度，用于计算所述扩散电阻的阻值。

4.根据权利要求3所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，所述扩散电阻的长度为所述多叉指MOS晶体管的源极/漏极两端的接触孔之间的距离，所述电阻单元的宽度为所述多叉指MOS晶体管的相邻两个栅极之间的距离。

5.根据权利要求3所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，若所述多叉指MOS晶体管为PMOS晶体管，则所述多叉指MOS晶体管的栅极连接高电位，所述阱为N阱且作为所述扩散电阻的第三端连接高电位。

6.根据权利要求3所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，若所述多叉指MOS晶体管为NMOS晶体管，则所述多叉指MOS晶体管的栅极连接低电位，所述阱为P阱且作为所述扩散电阻的第三端连接低电位。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，当所述多叉指MOS晶体管的叉指数为2n时，n为正整数，2n个平行分布条状栅极将所述扩散区隔成2n+1个扩散区域，源极和漏极交替分布于2n+1个扩散区域内，2n个栅极连接高电位，中间的2n-1个扩散区域构成2n-1个电阻单元，2n-1个电阻单元通过金属导线连接构成扩散电阻，最左边和最右边呈对角分布的两个接触孔通过金属导线连接出来作为所述扩散电阻的两端，所述阱为所述扩散电阻的第三端且连接高/低电位。

8.根据权利要求7所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，最左边和最右边的扩散区域内均为源极且作为假电阻单元。

9.根据权利要求1-6任一项所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，当所述多叉指MOS晶体管的叉指数为2n+1时，n为正整数，2n+1个平行分布条状栅极将所述扩散区隔成2n+2个扩散区域，源极和漏极交替分布于2n+2个扩散区域内，2n+1个栅极连接低电位，中间的2n个扩散区域构成2n个电阻单元，2n个电阻单元通过金属导线连接构成扩散电阻，最左边和最右边呈对角分布的两个接触孔通过金属导线连接出来作为所述扩散电阻的两端，所述阱为所述扩散电阻的第三端且连接高/低电位。

10.根据权利要求9所述的一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，最左边的扩散区域内为源极，最右边的扩散区域内为漏极，均作为假电阻单元。