[发明专利]半导体结构及半导体结构形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括；

衬底；

设置于所述衬底内的多个第一沟槽；

由所述第一沟槽隔开的多个有源区；

穿过所述有源区的多条第二沟槽；

位于所述衬底上表面的介电层；

窗口，穿透所述介电层与所述衬底的上表面相接触，并设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽内填充有介电材料，以形成一浅沟槽隔离结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二沟槽内填充有栅极材料及介质材料，以形成字线。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述窗口为方形窗口，且所述方形窗口在所述衬底上表面的投影在所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第一沟槽之间的距离，在垂直于所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第二沟槽之间的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述窗口垂直向下延伸入所述衬底内部至预设深度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层包括无定形硅层。

7.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底表面形成有介电层，所述衬底内部形成有多个第一沟槽，以及被多个第一沟槽隔开的多个有源区，所述有源区内设置有多个第二沟槽；

形成窗口，所述窗口与所述衬底相接触，设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。

8.根据权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在所述窗口形成前，包括以下步骤：

形成第一窗口，穿透所述介电层，所述第一窗口与所述衬底的上表面接触；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽外露于所述第一窗口的区域向下形成第二窗口，深入至所述衬底内部；

在所述衬底外露于所述第一窗口的区域向下形成第三窗口，且所述第三窗口深入至所述衬底内部，并与所述第二窗口相连通。

9.根据权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在所述介电层的表面形成第一窗口前，包括以下步骤：

在所述介电层的上表面形成掩膜层；

在所述掩膜层的上表面形成光刻胶层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述掩膜层至少包括在垂直于所述衬底上表面的方向上依次垒叠的第一掩膜层和第二掩膜层。

11.根据权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在所述介电层的表面形成第一窗口前，还包括以下步骤：

在所述光刻胶层表面形成图形，所述图形为所述第一窗口的形状。

12.根据权利要求8所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一窗口为方形窗口，且所述方形窗口在所述衬底上表面的投影在所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第一沟槽之间的距离，在垂直于所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第二沟槽之间的距离。

13.根据权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一沟槽内填充有介电材料，以形成一浅沟槽隔离结构；所述第二沟槽内填充有栅极材料及介质材料，以形成字线。

14.根据权利要求11所述的半导体结构形成方法，其特征在于，根据所述图形，在垂直于所述衬底上表面的方向上，向下依次刻蚀各层掩膜层和介电层，直至到达所述衬底上表面。