[发明专利]半导体结构及半导体结构形成方法

说明书

该发明涉及一种半导体结构及半导体结构形成方法。其中所述半导体结构，包括：衬底；设置于所述衬底内的多个第一沟槽；由所述第一沟槽隔开的多个有源区；穿过所述有源区的第二沟槽；位于所述衬底上表面的介电层；窗口，穿透所述介电层与所述衬底相连接，并设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。

技术领域

本发明涉及DRAM加工领域，具体涉及一种半导体结构及半导体结构形成方法。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。每一个DRAM通常包括电容器和晶体管，且晶体管的栅极与字线连接，漏极与危险连接，源极与电容器相连接。字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，DRAM的关键尺寸也越来越小，制程工艺越来越复杂，成本也越来越高。然而，现有技术中生产出来的DRAM良率有限，产量不能适应愈加高涨的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构及半导体结构形成方法，能够提高生产出来的DRAM良率，适应愈加高涨的产量需求。

为了解决上述技术问题，以下提供了一种半导体结构，包括：衬底；设置于所述衬底内的多个第一沟槽；由所述第一沟槽隔开的多个有源区；穿过所述有源区的第二沟槽；位于所述衬底上表面的介电层；窗口，穿透所述介电层与所述衬底相连接，并设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。

可选的，所述第一沟槽内填充有介电材料，以形成一浅沟槽隔离结构。

可选的，所述第二沟槽内填充有栅极材料及介质材料，以形成字线。

可选的，所述窗口为方形窗口，且所述方形窗口在所述衬底上表面的投影在所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第一沟槽之间的距离，在垂直于所述第二沟槽的长度方向上的宽度大于相邻两第二沟槽之间的距离。

可选的，所述窗口垂直向下延伸入所述衬底内部至预设深度。

可选的，所述介电层包括无定形硅层。

为了解决上述技术问题，以下还提供了一种半导体结构形成方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有介电层，所述衬底内部形成有多个第一沟槽，以及被多个第一沟槽隔开的多个有源区，所述有源区内设置有多个第二沟槽；形成窗口，所述窗口与所述衬底相接触，设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。

可选的，在所述窗口形成前，包括以下步骤：形成第一窗口，穿透所述介电层，所述第一窗口与所述衬底的上表面接触；在所述第一沟槽和所述第二沟槽外露于所述第一窗口的区域向下形成第二窗口，深入至所述衬底内部；在所述衬底外露于所述第一窗口的区域向下形成第三窗口，且所述第三窗口深入至所述衬底内部，并与所述第二窗口相连通。

可选的，在所述介电层的表面形成第一窗口前，包括以下步骤：在所述介电层的上表面形成掩膜层；在所述掩膜层的上表面形成光刻胶层。

可选的，所述掩膜层至少包括在垂直于所述衬底上表面的方向上依次垒叠的第一掩膜层和第二掩膜层。

可选的，在所述介电层的表面形成第一窗口前，还包括以下步骤：在所述光刻胶层表面形成图形，所述图形为所述第一窗口的形状。