[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201910862797.9 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN112490286B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张峻铭;廖文荣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
增强型高电子迁移率晶体管，包括主动区域和绝缘区域，该增强型高电子迁移率晶体管包括：
基板；
III-V族主体层以及III-V族阻障层，分别设置于该基板之上；
III-V族栅极结构，设置于该主动区域内的该III-V族阻障层之上；以及
III-V族图案化结构，设置于该绝缘区域内的该III-V族阻障层之上，其中该III-V族图案化结构的组成和该III-V族栅极结构的组成相同。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该III-V族栅极结构的底面会切齐于该III-V族图案化结构的底面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该III-V族栅极结构的组成和该III-V族图案化结构的组成为P型GaN或P型AlGaN。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括蚀刻停止层，设置于该III-V族图案化结构和该III-V族阻障层之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括蚀刻掩模层，设置于该III-V族栅极结构和该III-V族图案化结构的顶面。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该蚀刻掩模层的组成包括氮化硅或氧化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括钝化层，设置于该III-V族栅极结构和该III-V族图案化结构之上。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括蚀刻掩模层，设置于该钝化层和该III-V族图案化结构之间。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该钝化层的组成包括氮化铝、氧化铝或氮化硅。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括设置于该增强型高电子迁移率晶体管一侧的另一增强型高电子迁移率晶体管，其中部分该III-V族图案化结构会连续地被设置于该些增强型高电子迁移率晶体管之间。
11.一种半导体装置的制作方法，该半导体装置包括主动区域和绝缘区域，其特征在于，该制作方法包括：
提供基板，其上设置有III-V族主体层、III-V族阻障层及III-V族栅极层；以及
图案化该III-V族栅极层，以于该主动区域内形成III-V族栅极结构以及于该绝缘区域内形成III-V族图案化结构。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该III-V族栅极结构以及该III-V族图案化结构会同时形成。
13.根据权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该制作方法还包括：
在该III-V族栅极层之上形成一图案化蚀刻掩模层；以及
利用该图案化蚀刻掩模层作为蚀刻掩模，以蚀刻该III-V族栅极层。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该制作方法还包括沉积一钝化层于该III-V族栅极结构及该III-V族图案化结构之上。
15.根据权利要求14所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该钝化层的组成包括氮化铝、氧化铝或氮化硅。
16.根据权利要求14所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该蚀刻掩模层会设置于该钝化层和该III-V族图案化结构之间。
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