[发明专利]一种多层次融合的三维系统集成结构的制备方法有效
| 申请号： | 201910864218.4 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110581124B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 单光宝;杨力宏;李国良;朱樟明;卢启军;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/538 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 竺栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层次 融合 三维 系统集成 结构 制备 方法 | ||
1.一种多层次融合的三维系统集成结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)制作3个基板，依次为第一基板、第二基板以及第三基板；其中，第二基板的上设置有多个朝上开口的凹槽；第三基板为硅转接基板；
(2)将电源管理类芯片及相应的阻容器件焊接在第一基板上；将信号通讯的相关芯片和相应的阻容器件高精度安装在第二基板相应的凹槽中，进行填充后，开出PAD位置；将FPGA芯片、带有只与CPU交互的存储器的CPU以及进行POP封装的多层SRAM存储器高精度倒扣焊在具有IPD的第三基板上；得到3个二维集成封装结构；
(3)分别对3个二维集成封装结构进行测试；
(4)将对3个二维集成封装结构按从下往上第一基板、第二基板以及第三基板的顺序进行三维集成封装；
(5)对三维集成封装结构进行封帽。
2.如权利要求1所述的一种多层次融合的三维系统集成结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)制作3个基板上还分布有RDL层、TSV孔洞、凸点。
3.如权利要求1所述的一种多层次融合的三维系统集成结构的制备方法，其特征在于：所述基板上还设置有空腔，以便将对应的电子器件安装在空腔中。
4.如权利要求1所述的一种多层次融合的三维系统集成结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)将对3个二维集成封装结构进行三维集成封装具体过程是：将3个二维集成封装结构分别通过TSV中填充金属实现芯片和器件与TSV转接板互连集成，通孔中填充金属实现芯片和器件与基板互连集成，然后通过凸点实现多层二维集成封装结构Z向堆叠集成，制成多层次融合的三维集成电路结构。
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