[发明专利]一种抛光垫的修整装置及修整方法有效
申请号: | 201910865033.5 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN110625528B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 赵晟佑 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | B24B53/017 | 分类号: | B24B53/017;B24B53/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 修整 装置 方法 | ||
本发明提供一种抛光垫的修整装置及修整方法,修整装置包括:修整器,所述修整器包括呈圆柱状的修整器主体以及开设于所述修整器主体的修整面上的修整槽,所述修整槽包括圆环形槽和位于所述圆环形槽围合区域内的十字槽,所述十字槽的四端均与所述圆环形槽连通。根据本发明实施例的修整装置及修整方法,通过在修整器的修正面上开设修整槽,可有效将抛光垫上残留的颗粒杂质进行刮除并改善抛光垫表面的平坦度,从而防止硅片在抛光过程中发生划伤、造成硅片报废的现象,确保了硅片的抛光质量。
技术领域
本发明涉及硅片加工技术领域,具体涉及一种抛光垫的修整装置及修整方法。
背景技术
在硅片进行抛光工艺的过程中,抛光头上的硅片与贴附在旋转的下定盘上的抛光垫表面接触,硅片与抛光垫之间使用的抛光浆料和化学品等会研磨抛光垫和硅片,在抛光浆料与化学品的化学反应及机械加压引起的物理反应的共同作用下,硅片表面被抛光。但同时,抛光垫表面形态会逐渐变得凹凸不平,而且,随着抛光垫表面的形状变化,还会导致抛光垫表面更容易积累各种颗粒杂质,由此成为平坦度的恶化的原因。虽然在下一硅片加工之前会利用去离子水对抛光垫表面进行清洗,但仍旧无法使抛光垫表面的形状恢复正常,而且无法完全去除深嵌在其中的颗粒杂质。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种抛光垫的修整装置及修整方法,用于解决硅片抛光过程中容易被抛光垫上积累的颗粒杂质划伤、硅片表面平坦度不佳的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
本发明一方面实施例提供了一种抛光垫的修整装置,包括:
修整器,所述修整器包括呈圆柱状的修整器主体以及开设于所述修整器主体的修整面上的修整槽,所述修整槽包括圆环形槽和位于所述圆环形槽围合区域内的十字槽,所述十字槽的四端均与所述圆环形槽连通。
进一步地,所述修整装置还包括:
抛光刷,所述抛光刷的刷头一侧面设有刷毛区,所述刷毛区设有刷毛,所述修整器主体相对于所述修整面的另一面固定连接于所述抛光刷的刷头上与所述刷毛区相对的另一侧面。
进一步地,所述修整器主体采用氧化铝陶瓷制成。
进一步地,所述修整器主体的厚度为15ˉ20mm、直径为100ˉ150mm。
进一步地,所述修整槽的槽体宽度为1ˉ5mm、深度为1ˉ5mm。
进一步地,所述修整器主体通过聚四氟乙烯螺栓与所述抛光刷的刷头相连。
本发明另一方面实施例提供了一种抛光垫的修整方法,应用于如上所述的修整装置,所述修整方法包括:
修整步骤:控制所述修整器的修整面与所述抛光垫的抛光面相接触,并控制所述修整器在震荡的同时自所述抛光垫的中心向所述抛光垫的边缘移动。
进一步地,在所述修整步骤中:
控制所述修整器的修整面与所述抛光垫的抛光面相接触的同时,控制所述抛光垫做自转运动和/或控制所述修整器做自转运动。
进一步地,所述修整装置包括抛光刷,所述抛光刷的刷头一侧面设有刷毛区,所述刷毛区设有刷毛,所述修整器主体相对于所述修整面的另一面固定连接于所述抛光刷的刷头上与所述刷毛区相对的另一侧面,在所述修整步骤之前,所述修整方法还包括以下步骤:
清洗步骤:控制所述抛光垫做自转运动,控制所述抛光刷的刷毛区的刷毛与所述抛光垫的抛光面相接触的同时使所述抛光刷的刷头自所述抛光垫的中心向所述抛光垫的边缘移动。
进一步地,所述修整方法还包括:
在进行所述修整步骤的过程中,向所述修整器与所述抛光垫的接触区域喷射去离子水;和/或,
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