[发明专利]二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器

权利要求书

1.一种二极管分立器件，其特征在于，所述二极管分立器件用于带旁路功能的电路，所述二极管分立器件包括：

分立器件封装体、第一二极管与第二二极管；

其中，所述第一二极管为主电路二极管，所述第二二极管为旁路二极管，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；

所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。

2.根据权利要求1所述的二极管分立器件，其特征在于，所述第二二极管的第二性能优于所述第一二极管的第二性能，所述第二性能包括耐压等级、导通压降及耐冲击电流等级中至少一项。

3.根据权利要求1或2所述的二极管分立器件，其特征在于，所述第一二极管为宽禁带半导体器件，所述第二二极管为硅基半导体器件。

4.根据权利要求3所述的二极管分立器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为碳化硅半导体器件，或者所述宽禁带半导体器件为氮化镓半导体器件。

5.根据权利要求1或2所述的二极管分立器件，其特征在于，所述第一二极管与所述第二二极管均为硅基半导体器件。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的二极管分立器件，其特征在于，所述二极管分立器件包括至少三个电极。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的二极管分立器件，其特征在于，

所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极在所述分立器件封装体内相连接；

所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极在所述分立器件封装体内相连接；

所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极在所述分立器件封装体外相连接；或者

所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极在所述分立器件封装体外相连接。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的二极管分立器件，其特征在于，所述分立器件封装体为TO-247系列封装、所述分立器件封装体为TO-220系列封装、所述分立器件封装体为TO-263系列封装或所述分立器件封装体为TO-252系列封装。

9.一种带旁路功能的电路，其特征在于，所述电路包括：

主电路、旁路和用于所述电路的二极管分立器件；

所述二极管分立器件包括分立器件封装体、第一二极管和第二二极管，所述第一二极管连接于所述主电路，所述第二二极管连接于所述旁路；

其中，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；

所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第二二极管的第二性能优于所述第一二极管的第二性能，所述第二性能包括耐压等级、导通压降及耐冲击电流等级中至少一项。

11.根据权利要求9或10所述的电路，其特征在于，所述第一二极管为宽禁带半导体器件，所述第二二极管为硅基半导体器件。

12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为碳化硅半导体器件，或者所述宽禁带半导体器件为氮化镓半导体器件。

13.根据权利要求9或10所述的电路，其特征在于，所述第一二极管与所述第二二极管均为硅基半导体器件。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的电路，其特征在于，所述二极管分立器件包括至少三个电极。