[发明专利]二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器

说明书

本申请提供了一种二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器，该二极管分立器件用于带旁路功能的电路，该二极管分立器件包括：分立器件封装体、第一二极管与第二二极管；其中，所述第一二极管为主电路二极管，所述第二二极管为旁路二极管，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。该二极管分立器件能够提高电路的集成度和功率密度。

技术领域

本申请涉及电路领域，并且更具体地，涉及一种二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器。

背景技术

升压斩波(boost)电路(或称为boost升压电路)应用于光伏系统中，可以将光伏组件输出的宽范围直流电压，转换为稳定的直流电压，以满足后一级的逆变电路。当光伏组件的输出电压高于逆变电路对直流电压的等级需求时，boost升压电路的有源开关器件将不进行开关动作，此时，光伏组件的输出电流流经boost升压电路的主电感和主电路二极管，并引起损耗。

由于boost升压电路的主电路二极管需要综合考虑其导通性能和开关性能，故其导通压降通常较大，相应地，电路的导通损耗也较大。此时，在boost升压电路中增加旁路功能，能够有效地降低电路的导通损耗。但是，增加旁路功能也会增加电路的面积和体积，进而降低电路的集成度及功率密度。

因此，如何提高电路的集成度和功率密度，成为一个亟需解决的技术问题。

发明内容

本申请提供一种二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器，能够提高电路的集成度和功率密度。

第一方面，提供了一种二极管分立器件，所述二极管分立器件用于带旁路功能的电路，所述二极管分立器件包括：分立器件封装体、第一二极管与第二二极管；其中，所述第一二极管为主电路二极管，所述第二二极管为旁路二极管，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。

在本申请实施例中，将两个性能不同的二极管封装于一个分立器件封装体内，可以减小电路的面积和体积，从而能够提高电路的集成度和功率密度。

同时，将两个性能不同的二极管封装于一个分立器件封装体内，能够减少一个分立器件封装，可以降低封装成本。

进一步地，本申请实施例中的二极管分立器件用于带旁路功能的电路时，在同一时刻仅有一个二极管产生损耗，因此，使用单个分立器件封装对应的散热器即可满足散热要求，从而降低了散热器尺寸，可以提高散热器的利用率，从而能够进一步地降低成本。

需要说明的是，所述第一性能也就是二极管的开关性能。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一二极管为宽禁带半导体器件，所述第二二极管为硅基半导体器件。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述宽禁带半导体器件为碳化硅半导体器件，或者所述宽禁带半导体器件为氮化镓半导体器件。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一二极管与所述第二二极管均为硅基半导体器件。

例如，所述第一二极管可以为硅基快恢复二极管，所述第二二极管可以为硅基整流二极管。

可选地，所述第一性能还可以包括反向恢复电流。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二二极管的第二性能优于所述第一二极管的第二性能，所述第二性能包括耐压等级、导通压降及耐冲击电流等级中至少一项。