[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底的第一区域的第一阱区上形成第一栅叠层，所述第一阱区为第一掺杂类型；

在衬底的第一区域的第二阱区上形成第二栅叠层，所述第二阱区为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第一阱区与所述第二阱区彼此相邻；

在衬底的第二区域的第三阱区以及第四阱区上形成第三栅叠层，所述第三阱区为第二掺杂类型，所述第四阱区为第一掺杂类型，所述第四阱区位于所述第三阱区中，所述第一区域与所述第二区域彼此相邻；

采用光刻胶掩膜以及采用所述第一栅叠层、第三栅叠层作为硬掩膜，分别在所述第一阱区中形成第二掺杂类型的第一源区和第一漏区，在所述第三阱区中形成第二掺杂类型的第三漏区，在所述第四阱区中形成第二掺杂类型的第三源区；以及

去除所述光刻胶掩膜，进行普注以在所述第二阱区中形成第一掺杂类型的第二源区和第二漏区，

其中，在形成所述第二源区和第二漏区的步骤中，所述第一源区和第一漏区中以及所述第三源区和第三漏区中的所述第二掺杂类型的掺杂剂复合所述第一掺杂类型的掺杂剂，且所述第一源区和第一漏区以及所述第三源区和第三漏区的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述第一源区和第一漏区与所述第三源区和第三漏区的所述第二掺杂类型的掺杂剂的掺杂剂量比形成所述第二源区和第二漏区的所述第一掺杂类型的掺杂剂的掺杂剂量高，以使得所述第一源区和第一漏区以及所述第三源区和第三漏区形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述制造方法，其中，在形成所述第二源区和第二漏区的步骤之后，还包括：

在所述第一栅叠层、所述第二栅叠层以及所述第三栅叠层上形成层间介质层；

形成贯穿所述层间介质层并至少分别到达所述第一源区和第一漏区、所述第二源区和第二漏区和所述第三源区和第三漏区的多个通道孔；以及

采用导电材料填充所述多个通道孔以形成多个导电通道。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，在形成导电通道之后，所述第一源区和第一漏区中由所述通道孔暴露并与所述导电通道接触的部分作为第一源欧姆接触区和第一漏欧姆接触区，所述第三源区和第三漏区中由所述通道孔暴露并与所述导电通道接触的部分作为第三源欧姆接触区和第三漏欧姆接触区。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在形成所述通道孔和所述导电通道的步骤之间，还包括：

采用所述多个通道孔作为注入通道，注入第一掺杂类型的掺杂剂，在所述第二阱区中形成第二源欧姆接触区和第二漏欧姆接触区，

所述第一源区和第一漏区与所述第三源区和第三漏区的所述第二掺杂类型的掺杂剂复合所述第一掺杂类型的掺杂剂，且所述第一源区和第一漏区经由所述通道孔暴露的作为第一源欧姆接触区和第一漏欧姆接触区的一部分区域的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型，所述第三源区和第三漏区经由所述通道孔暴露的作为第三源欧姆接触区和第三漏欧姆接触区的一部分区域的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，还包括：

在形成所述第二源区和第二漏区的步骤中，在所述第四阱区中形成第一掺杂类型的第一沟道区，以及在所述衬底的第二区域的第一掺杂类型的第五阱区中形成第一掺杂类型的第二沟道区，所述第五阱区与所述第三阱区彼此相邻。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

所述多个通道孔包括贯穿所述层间介质层分别到达所述第一沟道区、所述第二沟道区的通道孔，

在形成所述第二源欧姆接触区和第二漏欧姆接触区的步骤中，在所述第一沟道区中形成第一掺杂类型的第一沟道接触区，在所述第二沟道区中形成第一掺杂类型的第二沟道接触区。