[发明专利]一种彩膜基板、显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201910869218.3 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110676293A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 张良芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光阻层 辅助阴极 黑色矩阵 显示面板 阴极层 制备 黑色矩阵区域 彩膜基板 压降 薄膜晶体管 非黑色矩阵 玻璃基板 依次设置 半透光 色阻层 背板 搭接 电阻 贴合 阻抗 | ||
本发明提供一种彩膜基板、显示面板及其制备方法,包括依次设置的辅助阴极层、光阻层、RGB色阻层、黑色矩阵和玻璃基板,其中所述黑色矩阵正下方区域的所述光阻层的厚度大于非黑色矩阵下的所述光阻层的厚度,所述辅助阴极层设置于所述黑色矩阵区域下方的所述光阻层的下方。利用半透光罩技术或两道光罩的方法制备黑色矩阵正上方的光阻层较厚,然后在黑色矩阵区域上方的光阻层上方制备辅助阴极层,由于下方的光阻层较高,从而上方的辅助阴极层也较高,便于彩膜基板与薄膜晶体管背板贴合时辅助阴极层与阴极层搭接;由于辅助阴极层阻抗较小,其与阴极层接触后,阴极层的电阻会同步降低,从而减少压降,改善显示面板压降的问题,提高显示面板的品质。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)具有超越LCD的显示特性与品质,例如轻薄化、短的反应时间,低的驱动电压、更好的显示色彩以及显示视角等优点,其受到大家广泛的关注,近些年其发展日新月异,不仅可以制作曲面显示,同时也逐渐向大尺寸发展。但是大尺寸的OLED又存在又压降问题,尤其是对于顶发射的面板,目视可见的mura(亮度不均匀),阴极较薄导致的压降问题更加亟待解决。
现有技术中,制作辅助电极以及阴极隔离柱,将阴极由原来的整面成膜改为隔离开搭接到下面的辅助电极上从而达到单独控制阴极,从而减少压降问题的发生;或者用激光将有机发光层烧断,从而达到阴极和辅助电极连接的作用。
因此,确有必要来开发一种新型的显示面板的制备方法,以克服现有技术的缺陷。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种彩膜基板,其能够解决现有技术中显示面板阴极较薄导致的压降问题。
为实现上述目的,本发明提供一种彩膜基板,包括依次设置的辅助阴极层、光阻层、RGB色阻层、黑色矩阵和玻璃基板,其中所述黑色矩阵正下方区域的所述光阻层的厚度大于非黑色矩阵下的所述光阻层的厚度,所述辅助阴极层设置于所述黑色矩阵区域下方的所述光阻层的下方。
本发明还提供一种显示面板,包括依次设置的薄膜晶体管基板、阳极层、平坦层、有机发光层、阴极层和本发明涉及的所述彩膜基板;其中所述辅助阴极层与所述阴极层相接。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述平坦层采用的材料为聚酰亚胺薄膜。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述阳极层采用的材料包括铟锡金属氧化物或银金属中的一种。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述薄膜晶体管基板包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层和有机层。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述源漏极层采用的材料包括钼、铝、钛、铜或铟锡金属氧化物中的一种。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述栅极绝缘层采用的材料包括氧化硅或氮化硅中的一种。
为实现上述目的,本发明还提供一种制备本发明涉及的所述显示面板的方法,包括以下步骤:
步骤S1:提供一薄膜晶体管基板,在所述薄膜晶体管基板上制备阳极层;
步骤S2:在所述阳极层上制备平坦层;
步骤S3:在所述平坦层上制备有机发光层;
步骤S4:在所述有机发光层上制备阴极层,形成薄膜晶体管背板;
步骤S5:提供一玻璃基板,在所述玻璃基板上制备黑色矩阵;
步骤S6:在所述黑色矩阵上制备RGB色阻层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的